第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

第十一章模拟电子电路读图 习题 11.1电路如图P11.1所示,其功能是实现模拟计算,求解微分方程。 (1)求出微分方程; (2)简述电路原理

本书以教育部制订的“高等工科院校电路、电路分析课程基本要求”为依据,参阅了国内出 版的电路、电路分析最新教材,并大量收集、研究了各院校近年的电路、电路分析课程考研试题 后而编写。本书从应试出发,全面总结、归纳了电路课程的基本内容、基本概念、重点、难点、各 种分析和计算方法,以及这些概念和方法在解题中的应用。每一章均选有典型题作例题,给出 解题思路和解题方法;每章末还有阶段测试题,并给出答案。全书最后选编了四套考研电路模 拟试题和近五年西安交通大学研究生入学考试电路试题,并给出参考答案。 本书可作为报考相关专业硕士研究生的主要复习参考书,也可作为在校大学生学习电路 课程的辅导教材和参考书

分析目的: 找出给定逻辑电路输出和输入之间的逻辑关系,了解其逻 辑功能。 分析步骤: ①电路→逻辑函数式 ②化简 ③逻辑函数式→真值表 ④逻辑函数式、真值表概括出逻辑功能

从点A出发 , 顺时针 绕行一周各部分电势降 落总和为零

本文讨论了用于功率电子电路的晶闸管模型的建立方法。给出了一个适用于计算机辅助设计的非线性集中参数的晶闸管等效电路模型。模型的建立是基于对器件内部载流子运动的物理过程进行模拟,分析了器件的少数载流子注入;空间电荷区内部载流子的产生与复合;雪崩倍增效应;基区宽度调制效应及电荷存贮效应。将反映这些物理过程的数学公式用非线性电路元件表示,组成了由非线性电阻、电容及受控电流源所构成的晶闸管模型。利用这个模型可以分析晶闸管开关过程的动态非线性特性

第十章恒定电流 从点A出发,顺时针绕行一周各部分电势降落总和为零,即

4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vms=4V时的转移特性

1.4.1 功率的计算 1.4.2 元件吸收或供出功率的判断

5.1 基本触发器的逻辑符号与输入波形如图P5.1所示。试作出 Q、Q 的波形