第一节点的运动的表示法 第二节刚体的基本运动 第三节定轴轮系的传动比 第四节以矢量表示刚体的角速度和角加速度 以矢积表示点的速度和加速度

系统函数的表示法及与响应的关系 稳定性判据(含反馈系统) 频响的矢量图解

学习要求： 了解平面机构运动分析的目的和方法；掌握瞬心的概念及其在速度分析中的应用；掌握解析法中的整体运动分析法或相对运动图解法；对其它方法有一般的了解。 第一节 概述 第二节 用瞬心法作机构的运动分析 第三节 运动分析的相对运动图解法 第四节 平面矢量的复数极坐标表示法 第五节 平面机构的整体运动分析法

123连续时间系统状态方程的求解 一、用拉普拉斯变换法求解状态方程 二、用时域法戒解状态方程 矢量微分方程的求解

均匀磁场与矩形导体回路面法线 单位矢量e间的夹角为0=r/3(如图), 已知磁感应强度B随时间线形增加,即B=kt (大>0),回路的AB边长为4以速度v向右运动, 设t=0时,AB边在x=0处,求:任意时刻回 路中感应电动势的大小和方向

预备知识 标量、矢量分析 预备知识 矢量分析、张量初步 第一章 电磁场的普遍规律 §1 电荷和电场 第一章 电磁场的普遍规律 §2 电流和磁场 第一章 电磁场的普遍规律 §3 麦克斯韦方程组 第一章 电磁场的普遍规律 §4 介质的电磁性质 第一章 电磁场的普遍规律 §5 电磁场边值关系 第一章 电磁场的普遍规律 §6 电磁场的能量和能流 第二章 静电场 §1 静电场的标势及其微分方程 第二章 静电场 §2 唯一性定理 第二章 静电场 §3 拉普拉斯方程 分离变量法 第二章 静电场 §4 镜像法 第二章 静电场 §6 电势多极展开 电多极矩 第三章 静磁场 §1 矢势及其微分方程 第三章 静磁场 §2 磁标势 第三章 静磁场 §3 磁多极矩 第四章 电磁波的传播 §1 平面电磁波 第四章 电磁波的传播 §2 电磁波在介质界面上的反射和折射 第四章 电磁波的传播 §3 有导体存在时的电磁波的传播 第五章 电磁波的辐射 §1 电磁场的矢势和标势 第五章 电磁波的辐射 §2 推迟势 第五章 电磁波的辐射 §3 电偶极辐射

§1. 交流电概述 1.1 交流电的基本形式 1.2 简谐交流电 1.3 简谐交流电的特征量 1.4 基本假设 §2. 交流电路中的元件 2.1 交流电路元件的特征 2.2 电阻 2.3 电容 2.4 电感 §3. 元件的串并联——矢量图解 3.1 矢量图解方法 3.2 串联RL、RC电路 3.3 RC并联后再与L串联 §4. 交流电路的复数解法 4.1 复数基本知识 4.2 交流电的复数表示法 4.3 交流电路的基尔霍夫方程组及其复数形式 §5. 谐振电路 5.1 串联谐振电路 5.2 谐振电路的品质因数 §6. 交流电的功率 6.1 瞬时功率和平均功率 6.2 功率因数 §7. 变压器 §8. 三相交流电 8.1 三相交流电的相电压、线电压 8.2 三相交流电路中负载的连接 8.3 三相电的功率

第一节 正弦交流电的基本概念 一、周期电流 二、正弦交流电 三、交流电的有效值 第二节 正弦量的相量表示法 一、正弦量的矢量表示法 二、正弦量的相量表示法 三、复数 四、基尔霍夫定律的相量形式 第三节 单一元件参数电路 一、电阻电路 二、电感电路 三、电容电路 第四节 简单的正弦交流电路 一、RLC 串联交流电路 二、阻抗的串联和并联 第六节 正弦交流电路的功率 一、瞬时功率 二、有功功率 三、视在功率和无功功率 第七节 正弦交流电路中的谐振 一、串联谐振 二、并联谐振 第八节 非正弦周期电流电路 一、非正弦量的谐波分析 二、非正弦周期量的有效 三、非正弦周期电流电路值和功率的计算 第九节 三相交流电路 一、三相电源 二、三相电源的连接方式 三、三相负载的连接方式

采用矢量网络参数法在1~18 GHz频段内分别对电阻炉、空气和水浴中冷却的高碳铬铁粉的电磁性能进行研究.随着冷却速率的提高,高碳铬铁粉的相对复介电常数实部和虚部在大多数频率下均增大.空冷和水冷粉料的相对复介电常数虚部在12~18 GHz频率范围内因极化弛豫而产生较大的峰值.同一频率下相对复磁导率实部随冷却速率变化的趋势与相对复介电常数相反.水冷粉料的相对复磁导率虚部在3~5 GHz以外的频段内均大于另两组冷却粉料,且三组粉料的虚部在低频及高频条件下均具有峰值.在2.45 GHz的微波加热频率下,炉冷、空冷及水冷粉料的反射损耗分别为-2.30、-2.15和-2.07 d B.水冷粉料的介电损耗因子及磁损耗因子最大,微波场下具有最佳的升温速率与反应效果

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向