一、外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层

什么是“纳米表面” 纳米量级厚度的薄膜 表面含有纳米颗粒与原子团族 表面含有纳米碳管 复合纳米表面

上海交通大学：《材料综合实验》课程教学资源（实验指导）物理性能_实验三（I）探针测量半导体或金属薄膜电阻率

上海交通大学：《材料综合实验》课程教学资源（实验指导）物理性能_实验三（II）磁性薄膜的磁电阻测量

什么是“纳米表面” 纳米量级厚度的薄膜 表面含有纳米颗粒与原子团族 表面含有纳米碳管 复合纳米表面

在沉积环境中,以各种物理 方法产生的原子或分子沉积在基体上,形成薄膜或涂层的过程 称为物理气相沉积

1.1 薄膜的定义 1.2 薄膜的特性 1.3 薄膜技术与薄膜材料受到广泛关注的原因 1.4 薄膜的分类 1、电功能膜： 如绝缘膜、半导体膜、导电膜和压电膜等。 2、磁功能膜： 如磁记录膜、巨磁电阻膜、隧道磁阻薄膜、磁光等 3、光功能膜： 包括光敏膜、光记录膜、光反射膜、光分离膜。 4、分离膜： 包括气体分离膜、液体分离膜、气-液分离膜。 5、催化膜： 这类膜具有化学功能，包括催化膜、反应膜。 6、气敏膜： 这类膜对不同的气体，例如：CO2、NH3、CH4等有不同的敏感性。 1.5 薄膜材料与技术所研究的问题

采用磁控溅射方法制备分别以Ta和NiFeCr为缓冲层的Ta(NiFeCr)/NiFe/Ta薄膜材料.对于相同厚度的NiFe薄膜,与传统材料Ta相比,用NiFeCr作缓冲层薄膜的各向异性磁电阻有显著的提高.X射线衍射结果表明,与Ta缓冲层相比NiFeCr缓冲层可以诱导更强的NiFe(111)织构.高分辨透射电子显微镜结果表明,NiFeCr缓冲层和NiFe层的晶格匹配非常好,NiFe沿着NiFeCr外延生长,以NiFeCr为缓冲层的NiFe薄膜具有良好的晶体结构.对薄膜进行热处理,以NiFeCr缓冲层为缓冲薄膜的各向异性磁电阻值在350℃以下基本保持不变,当退火温度超过350℃后,其值会明显下降.以NiFeCr缓冲层的薄膜在350℃以下退火具有良好的热稳定性

一、实验目的 每位同学以自己选择的英文文献为线索 ，通过阅读文献和其他的相关材料，达到较 深入地了解薄膜材料制备技术领域某一具体 课题的目的

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质