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浙江大学:《单片机原理与接口》第七章 80C51单片微机的串行口原理及应用
文档格式:PPT 文档大小:1.1MB 文档页数:99
7.1 串行数据通信概述 7.2 80C51串行口及控制
人民邮电出版社:高等学校计算机专业教材《80x86汇编语言程序设计》课程教学资源(PPT课件)第3章 80x86指令系统
文档格式:PPT 文档大小:178.5KB 文档页数:47
▪ 3种操作数(立即数、寄存器和内存操作数)的形式。 ▪ 常用指令的格式、功能以及对CF、OF、SF、ZF的影响。 ▪ 使用指令时容易犯的错误
安徽财经大学管理学院:《企业战略管理》课程教学资源(PPT课件)第一章 企业战略概述
文档格式:PPT 文档大小:103KB 文档页数:28
一、战斗的年代(80年代中期以前) 二、战术的年代(80年代中期~90年代中期) 三、战略的年代(90年代中后期至今)
成都信息工程大学:《51单片机及其应用》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六课 中断系统 Interrupt
文档格式:PPT 文档大小:931KB 文档页数:28
5.1 80C51的中断系统 5.2 80C51单片机中断处理过程
《钢结构》第七章(7-6)普通螺栓连接的构造
文档格式:PPT 文档大小:1.33MB 文档页数:52
一、螺栓排列和构造要求 1. 直径:M12~M24(2的倍数);M24~M48(3的倍数) ;M48~M80 (4的倍数) ;M80~100 (5的倍数)受力螺栓≥M16,常用直径:M20~24当使用普通螺栓时,无特殊说明时是指C级粗制螺栓
低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻
文档格式:PDF 文档大小:449.99KB 文档页数:5
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu由金属多层膜.在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化.在Cu层厚度tcu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×104 A/m和8×103 A/m,低温下(77K)磁电阻为对33.2%和27.6%.系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响.用真空退火方法对样品进行热处理,发现多层膜的磁电阻性能有明显改变
大连海事大学:《国际贸易法》教学案例
文档格式:DOC 文档大小:717KB 文档页数:161
(国际贸易法案例库分两个部分,一部分是案情介绍,另一部分是案件处理结果和学 者评述。案情介绍部分现存80个真实案情,按照案情焦点命名和编号,方便学习查询。该 80个案例的法院判决或组成庭裁决以及案件评述等,仍以原标号和命名)
《物理化学》课程教学资源(试题资料)实验试卷五
文档格式:PDF 文档大小:158.86KB 文档页数:10
一、选择题(共16题32分) 1.2分(8458)8458 在动态法测定水的饱和蒸气压实验中,实验温度在80℃~100℃之间,则所测得的气化热数据是:() (A)水在80℃时的气化热 (B)水在100℃时的气化热 (C)该数值与温度无关 (D)实验温度范围内气化热的平均值
浙江大学:《单片机原理与接口》第五章 80C51单片微机的中断系统原理及应用
文档格式:PPT 文档大小:881.5KB 文档页数:59
5.1 中断系统概述 5.2 80C51的中断系统 5.3 中断的控制
中国科技大学:《微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 8086体系结构与80x86CPU
文档格式:PPT 文档大小:1.31MB 文档页数:78
一、8086CPU结构 二、8086系统的结构和配置 三、8086CPU内部时序 四、80x86典型微处理器介绍
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