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文库搜索结果(622)
人民邮电出版社:高等学校计算机专业教材《80x86汇编语言程序设计》课程教学资源(PPT课件)第8章 输入/输出与中断
文档格式:PPT 文档大小:125KB 文档页数:19
▪ I/O指令与I/O程序设计的基本方法。 ▪ 80x86中断系统。 ▪ 中断服务程序设计的基本方法。 ▪ DOS与BIOS服务的用途。 ▪ DOS环境下的可执行程序。 ▪ 驻留程序设计(简介)
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人民邮电出版社:高等学校计算机专业教材《80x86汇编语言程序设计》课程教学资源(PPT课件)第3章 80x86指令系统
文档格式:PPT 文档大小:178.5KB 文档页数:47
▪ 3种操作数(立即数、寄存器和内存操作数)的形式。 ▪ 常用指令的格式、功能以及对CF、OF、SF、ZF的影响。 ▪ 使用指令时容易犯的错误
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浙江大学:《单片机原理与接口》第七章 80C51单片微机的串行口原理及应用
文档格式:PPT 文档大小:1.1MB 文档页数:99
7.1 串行数据通信概述 7.2 80C51串行口及控制
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成都信息工程大学:《51单片机及其应用》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六课 中断系统 Interrupt
文档格式:PPT 文档大小:931KB 文档页数:28
5.1 80C51的中断系统 5.2 80C51单片机中断处理过程
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《微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件)第十二章 从8086到 pentiumⅡ
文档格式:PPT 文档大小:734KB 文档页数:67
一、80X86 和 Pentium—Pentium II系列各个成员的概况。 二、80X86的三种工作模式及寻址原理。 三、80386的内存分页管理机制。 四、80386具有保护功能的指令
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低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻
文档格式:PDF 文档大小:449.99KB 文档页数:5
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu由金属多层膜.在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化.在Cu层厚度tcu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×104 A/m和8×103 A/m,低温下(77K)磁电阻为对33.2%和27.6%.系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响.用真空退火方法对样品进行热处理,发现多层膜的磁电阻性能有明显改变
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中国科技大学:《微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 8086体系结构与80x86CPU
文档格式:PPT 文档大小:1.31MB 文档页数:78
一、8086CPU结构 二、8086系统的结构和配置 三、8086CPU内部时序 四、80x86典型微处理器介绍
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湘潭大学:《微型计算机系统原理及应用》课件_第二章 IA-32结构微处理器(80x86系列结构微处理器与8086)
文档格式:PPT 文档大小:1.58MB 文档页数:94
2.1 80x86系列微处理器是8086的延伸 2.2 8086的功能结构 2.3 8086微处理器的执行环境
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厦门理工学院:《单片机原理与控制技术》课程教学资源(PPT课件讲稿,第二版)第7章 80C51并行扩展技术
文档格式:PPT 文档大小:353KB 文档页数:41
80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。 外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多, 近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/0口和 其他一些功能器件,扩展器件大多是一些常规芯 片,有典型的扩展应用电路,可根据规范化电路 来构成能满足要求的应用系统
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人民邮电出版社:高等学校计算机专业教材《80x86汇编语言程序设计》课程电子教案(PPT课件讲稿)第8章 输入/输出与中断
文档格式:PPT 文档大小:125KB 文档页数:19
一、 I/O指令与I/O程序设计的基本方法。 二、 80x86中断系统。 三、中断服务程序设计的基本方法。 四、DOS与BIOS服务的用途。 五、DOS环境下的可执行程序。 六、驻留程序设计(简介)
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