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一、频率与频率稳定性 频率 设A是一个事件在相同的条件下进 行n次试验,在这n次试验中事件A发生 了m次。则称m为事件A在n次试验中 发生的频数或频次,称m与n的比值m/n 为事件A在n次试验中发生的频率,记 为fn(A)
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例21:等宽槽的零件采用子程序(M8指令)编程 00021 N10G92X100Z100(设程序参考点) N20G90G00X4222 N40Mo6T0101 N35G04P3 N38 MO3MO7 N50G90000X322-12
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Problem set 2 Solutions Due: Monday, February 14 at 9 PM Problem 1. Use induction to prove that n/n for alln olution. The proof is by induction on n. Let P(n) be the proposition that the equation Base case. P(2 )is true because Inductive step. Assume P(n)is true. Then we can prove P(n +1)is also true as follows
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Guessing a particular solution. Recall that a general linear recurrence has the form: f(n)=a1f(n-1)+a2f(n-2)+…+aaf(n-d)+g(n) As explained in lecture, one step in solving this recurrence is finding a particular solu- tion; i.e., a function f(n)that satisfies the recurrence, but may not be consistent with the boundary conditions. Here's a recipe to help you guess a particular solution:
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一.选择题: 1.如图所示,折射率为 n2 、厚度为 e 的透明介质薄膜的 上方和下方的透明介质的折射率分别为 n1 和 n3,以知 n1< n2 < n3 , 若用波长为 λ 的单色光垂直入射到该薄膜 上,则从薄膜上、下两表面反射的光束①与②的光程差是 [ ]
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1 Strong Induction Recall the principle of strong induction: Principle of Strong Induction. Let(n) be a predicate. If ·P() is true,and for all n, P(O)A P(1)...A P(n) implies P(n+1), then P() is true for all n E N. As an example, let's derive the fundamental theorem of arithmetic
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设f()=(-)\(-2)\…(-2), …,互异,n+n+…+n=n. 当o不可对角化时,存在基i,2,…,n 使o(G,2,,n)=(1,2…E
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对鞍钢采用氧气顶吹转炉(BOF)冶炼、非调质工艺开发的N80级油井管用钢进行了系统的工艺设计、实验室研究、工业实验及工业生产研究.提出了V、N微合金化取代常规淬火和回火工艺,设计了非调质N80的化学成分,确定了符合鞍钢氧气转炉大规模生产非调质N80的冶炼工艺以及各工序的工艺控制要点,特别是确定了实际工况下氧气转炉终点碳、氧、温度的回归公式以及VD底吹增氮动力学模型等关键工艺要点.连续生产的实测数据分析结果表明:非调质N80冶炼工艺稳定可行,化学成分、冶炼工艺设计合理,力学性能和使用性能均满足API Spec 5CT及油井管生产的特殊要求
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对N80钢在不同CO2压力下进行高温、高压腐蚀实验,根据失重法计算N80钢的腐蚀速率,利用扫描电镜观察腐蚀产物膜的微观形态,分析腐蚀产物膜的厚度和Ca元素含量,利用电化学阻抗谱和极化曲线法测试了腐蚀产物膜的电化学性能,并对腐蚀产物膜与基体间的剪切强度进行了测试.结果表明,随CO2压力增加,N80钢腐蚀速率增大;腐蚀产物膜晶粒尺寸基本不变,膜中微观缺陷数量逐渐增多;腐蚀产物膜电阻和反应电阻呈逐渐增加的趋势;腐蚀产物膜与N80钢基体结合的剪切强度下降,促进了N80钢的腐蚀
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采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-C3N4化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,α-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高,超过一定的温度后,N/C原子比将会降低.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱结果支持C-N键的存在
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