应用边界适体坐标(BFC)技术计算底吹钢包内的三维流场,该计算无需在未知流场内设置内边界,而使流动及运动的合金可顺利跨越圆心轴.在计算合金运动轨迹时,修正了合金在气液两相区内运动模型的参数.最后分析了若干因素对合金运动轨迹的影响

第一节 传感器的定义和组成 第二节 传感器的分类及要求 第三节 传感器的一般数学模型 第四节 传感器的特性与指标 第五节 传感器的作用和重要性 第六节 生物医学传感器的分类 第七节 传感器开发的新趋势

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

利用一维稳态传热模型,计算中间包底面温度,建立了底面温度与中间包衬里损伤程度间的对应关系,发现中间包底面温度随着衬里损伤程度增加而增加.红外热像检测表明:中间包底面温度随着包龄的增加而增加;红外热像技术可以有效地对中间包衬里损伤进行检测;利用所建立的理论关系式,可以实现对中间包红外热像的定量分析

1.1 信号 1.2 信号的频谱 1.3 模拟信号和数字信号 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标

针对基于流态化技术利用硅粉直接氮化合成氮化硅粉的新工艺,建立了悬浮床内热过程的二维数学模型,并借助CFD商业软件FLUENT对悬浮床内热过程进行了数值模拟,分析了氮气速度、粉气比和氮化温度等因素对温度场和硅转化率的影响.结果表明,模拟计算值与实验值误差小于5%,该模型可以用来预测悬浮床内的热过程.在本文条件下,当以平均粒径2.7μm的硅粉为原料、氮化温度为1 380℃、氮化时间为54.5 s时,硅的转化率为22.5%.模型预测表明,如果将氮化温度升至1 450℃、氮化时间延长至7.1 min,那么硅转化率可达98.6%,氮化硅纯度达98%以上

在对板式楔横轧轧制过程进行分析基础上,建立了板式楔横轧的几何数学模型,确定了板式楔横轧模具与轧件轧制接触面方程及边界方程。最后利用计算机辅助绘图技术,将结果以图形显示方式形象输出

6.1 有限元建模概述 6.2 几何模型的建立 6.3 单元类型及单元特性 6.4 网格划分方法 6.5 边界条件定义

教学目标： 掌握物理层的基本功能； 掌握各类传输介质的特点； 掌握常见物理层设备与组件的作用； 理解数据通信系统的模型及相关概念； 理解基带传输技术和频带传输技术； 理解多路复用技术； 了解物理层标准的内涵

◼ 可用性的定义 ◼ 可用性工程 ◼ 支持可用性的设计原则 ❑ 可学习性 ❑ 灵活性 ❑ 鲁棒性 ◼ 可用性的评估方法 ❑ 用户模型法、启发式评估、认知性遍历、用户测试和用户调查法等 ◼ 可用性案例