一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、“模拟电子技术基础”课程的特 五、如何学习这门课程 点 六、课程的目的 七、考查方法

一、理想运算放大器的特点 二、负反馈是集成运放线性应用的必要条件 三、运算放大器的基本电路 四、集成运放的线性应用

《大学物理》教学大纲 《大学物理实验》教学大纲 《电路分析》教学大纲 《电路分析实验》教学大纲 《模拟电子技术》教学大纲 《模拟电子技术实验》教学大纲 《数字电子技术》教学大纲 《数字电子技术实验》教学大纲 《信号与系统》教学大纲 《数字信号处理》教学大纲 《数字信号处理实验》教学大纲 《高频电子线路》教学大纲 《高频电子线路实验》教学大纲 《图学基础与计算机绘图》教学大纲 《电子工艺学》教学大纲 《专业英语》教学大纲 《文献检索与科技论文写作》教学大纲 《传感器检测技术》教学大纲 《计算机网络》教学大纲 《通信原理》教学大纲 《自动控制原理》教学大纲 《语音信号处理》教学大纲 《电磁兼容技术》教学大纲 《人工智能概论》教学大纲 《计算方法》教学大纲 《模式识别》教学大纲 《数字图像处理》教学大纲 《微机原理及应用》教学大纲 《微机原理及应用实验》教学大纲 《单片机原理及应用》教学大纲 《单片机原理及应用实验》教学大纲 《电磁场与电磁波》教学大纲 《MATLAB 语言》教学大纲 《Altium Designer 原理图与 PCB 设计》教学大纲 《工业控制组态软件》教学大纲 《随机信号分析》教学大纲 《算法与数据结构》教学大纲 《EDA 技术》教学大纲 《电子测量原理》教学大纲 《电器控制与 PLC 技术》教学大纲 《电子系统综合设计》教学大纲 《DSP 原理与应用》教学大纲 《嵌入式系统设计》教学大纲 《信号检测技术》教学大纲 《自适应信号处理》教学大纲 《认知实习》教学大纲 《金工实习》教学大纲 《电子工艺实习》教学大纲 《基础电路综合设计》教学大纲 《单片机原理及应用课程设计》教学大纲 《电子系统综合设计实践》教学大纲 《毕业实习》教学大纲 《毕业论文（设计）》教学大纲

4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管

1、将下列二进制数转换成十进制数。 (1)(1011)2(2)(11011)2(3)(100110.012((1100110110)2 2、将下列十进制数转换成二进制数。 (1)(36)10 (2)(96)10 (3)(125)10 (4)(13.25)10

第一章 基础知识 第二章 微型计算机基础 第三章 8086/8088 CPU 的指令系统 第四章 汇编语言程序设计 第五章 存储器系统 第六章 输入输出和中断技术 第七章 常用数字接口电路 第八章 模拟量的输入输出

《DSP 器件与应用》课程教学大纲 《EDA 技术》课程教学大纲 《PLC 原理与应用》课程教学大纲 《VC 程序设计》课程教学大纲 《MATLAB 基础》课程教学大纲 《半导体器件及应用》课程教学大纲 《测控电路》课程教学大纲 《传感器与检测技术》课程教学大纲 《大学生心理健康教育》课程教学大纲 《大学生职业发展与就业指导》课程教学大纲 《大学物理 A》课程教学大纲 《单片机原理与应用》课程教学大纲 《电磁场与电磁波》课程教学大纲 《电机及拖动基础》课程教学大纲 《电力电子技术》课程教学大纲 《电路分析》课程教学大纲 《电气控制技术》课程教学大纲 《电视原理与技术》课程教学大纲 《电子测量技术》课程教学大纲 《高频电子线路》课程教学大纲 《机械制图》课程教学大纲 《控制电机》课程教学大纲 《模拟电子技术基础》课程教学大纲 《数字电子技术基础》课程教学大纲 《数字系统设计与 Verilog HDL》课程教学大纲 《数字信号处理》课程教学大纲 《通信原理》课程教学大纲 《微机原理与接口技术》课程教学大纲 《信号与系统》课程教学大纲 《自动控制原理》课程教学大纲 《LabVIEW 虚拟仪器》课程教学大纲 《电磁兼容基础》课程教学大纲 《高速 PCB 设计》课程教学大纲 《光电检测技术》课程教学大纲 《光电子技术》课程教学大纲 《集成电路概论》课程教学大纲 《科技写作基础》课程教学大纲 《模式识别》课程教学大纲 《嵌入式系统设计》课程教学大纲 《软件无线电基础》课程教学大纲 《视频监控系统》课程教学大纲 《数值分析》课程教学大纲 《数字图像处理》课程教学大纲 《随机信号分析》课程教学大纲 《微波技术基础》课程教学大纲 《信息论基础》课程教学大纲 《语音信号处理》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《专业见习》教学大纲 《专业实习》教学大纲 《毕业设计》教学大纲 《金工实习》教学大纲 《电子技术工艺》教学大纲 《数字电子技术课程设计》教学大纲 《模拟电子技术课程设计》教学大纲

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极

2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络