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1. 双稳态触发器 2. 寄存器 3. 计数器 4. 时序逻辑电路的分析( 略) 5. 由555定时器组成的单稳态触发器和无稳态触发器
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8.1时分复用基本概念 1.时分复用(T,Time -Division- Multiplexing)a.为每一路信号(连接)分配一个周期性重复的时隙(s:Time Slot),不同的时隙传输不同连接的信号。b.TDM是一种电路交换的传输方式。 2.TDM,FDM与CDMA TDM:各路的信号在时域上分离,在频域上重叠;FDM:各路的信号在频域上分离,在时域上重叠;CDMA:各路的信号在频域上、时域上均重叠;3TDM的特点:电路形式单一,易于集成。系统对信号同步的要求较高
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内部过电压的分类 工频过电压概述 谐振过电压概述 操作过电压概述 内部过电压案例——切空线操作过电压
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§5.0 变换及调理的目的 §5.1 电桥 §5.2 调制与解调 §5.3 滤波器
文档格式:PPT 文档大小:1.62MB 文档页数:45
1、并列操作、同期、同期点的基本概念 2、同步发电机并列操作的原则 3、同步发电机的并列方法 5、同步发电机准同期并列时偏离理想条件情况下的后果 4、同步发电机准同期并列的条件
文档格式:PPS 文档大小:1.79MB 文档页数:26
• 课程的主要内容: • 工业自动化仪表: • 实现生产过程自动化的电子电气设备 • 过程控制: • 实现生产自动化的理论和技术
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第七章电与磁的相互转化 基本要求 1.掌握确定感应电流流向的楞次定律和法拉第电磁感应定律, 2.会用电动势定义式或法拉第定律计算感应电动势。会计算自感系数(电感)和互惑系数,磁场能量密度及磁场中贮存的磁能的计算
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4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路(CMOS共源放大电路) 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管(JFET)及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项
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2 .1 图论的图和图论基本术语 2.2 树、割集 2.3 图的矩阵表示 2.4 基尔霍夫定律的矩阵形式和支路电压电流关系的矩阵形式
文档格式:PPT 文档大小:4.46MB 文档页数:116
第一节 苯的结构 第二节 苯衍生物的异构、命名及物理性质 第三节 苯环上的亲电取代反应 第四节 苯环上亲电取代反应的定位规律 第五节 烷基苯的反应 第六节 单环芳香烃的来源和用途 第七节 稠环芳烃 第八节 卤代芳烃
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