第一节 电阻应变式传感器 第二节 热电阻式传感器 第三节 其他电阻式传感器

目 录 1《自动控制理论》 2《单片机原理及应用》 3《现代控制理论》 4《电机及电力拖动》 5《检测技术与仪表》 6《电力电子技术课程设计》 7《运动控制系统》 8《过程控制系统》 9《计算机控制系统》 10《专业英语》 11《PLC 原理及应用》 12《嵌入式系统》 13《EDA技术及应用》 14《C 语言案例设计》 15《现场总线技术》 16《机器人学基础》 17《高级语言程序设计》 18《控制系统辅助仿真设计》 19《工业计算机通信与网络》 20《PLC 课程设计》 21《电力电子技术课程设计》 22《数字图像处理》 23《数据结构与算法》 24《复变函数与积分变换》 25《信号与系统》 26《模式识别与人工智能》 27《工程电磁场》 28《集散控制系统》 29《控制电机》 30《信号与系统》 31《智能控制技术》 32《文献检索与科学研究》 33《虚拟仪器》 34《计算机控制系统课程设计》 35 《智能控制技术课程设计》 ………………………………………………

使用电子背散射衍射技术研究了低C高Mn高Nb成分设计下,非再结晶奥氏体变形及加速冷却速率对低碳贝氏体组织取向差特征和大角晶界分布的影响.结果表明,与原奥氏体晶粒内部的相变组织相比,原奥氏体晶界附近具有更高的大角晶界密度,非再结晶区奥氏体变形及快速冷却都有利于提高共格相变的驱动力、弱化变体选择以及有效增加大角晶界密度.此外,非再结晶区的大变形除了可充分压扁奥氏体晶粒和增加单位面积的奥氏体晶界密度外,还导致奥氏体晶界上细小的非共格转变铁素体晶粒生成,且这些铁素体晶粒与相邻组织表现出大取向差

⑴ 脉冲幅度Um 。脉冲电压变化的最大值，即脉冲波从 波底至波顶之间的电压。 ⑵ 上升时间tr 。脉冲波前沿从0.1Um上升到0.9Um所 需的时间。 ⑶ 下降时间tf 。脉冲波后沿从0.9Um下降到0.1Um所 需的时间

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3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

全书共分八章：第一章是从应用的角度介绍电力半导体器件的特性；第二、三章是讲述利用相控原理的可控整流与有源逆变和交一交变频器；第四章是讲述研究DC一DC变换的斩波器的工作原理；第五章主要是研究采用PWM技术的无源逆变器；第六章是功率因数校正；第七章是软开关技术及其应用；第八章是开关电源。本书的第六~八章是电力电子学最新的内容，其中，电感电流连续的功率因数校正的原理电路分析，直流环节谐振的软开关逆变器的补偿损耗电流的计算公式，电压电流工作波形的计算；推导出的反激式、正激式、半桥式和桥式变换的开关电源的输入输出和导通时间的统一公式，这些都是由我们首先完成但还没有正式发表过论文的科研工作的成果。本书可作为授课80学时左右的本科电工类学生的专业用书，也可供相关专业的技术人员作为参考！

1.全压起动控制 2.星形-三角形降压起动控制 3.定子绕组串电阻降压起动控制 4. 自耦机床变压电气线器降路的安装 压起动控制 5.延边三角形降压起动控制

常用地基处理方法分类 复合地基承载力与变形计算 地基处理技术简介——换土垫层法、重锤夯实法、 土工合成物法、强夯法、砂石桩法、CFG桩法、高压喷射注浆桩法、深层搅拌桩法、排水固结法、灌浆法 托换技术简介