4.2 存储器件 4.1 时序逻辑电路的基本概念 4.1.1 时序逻辑电路的结构模型 4.1.2 状态表和状态图 4.3 锁存器 4.3.1 RS锁存器 4.3.2 门控RS锁存器 4.3.3 D锁存器 4.4 触发器 4.4.1 主从触发器 4.4.2 边沿触发器 4.5 触发器逻辑功能的转换 4.5.1 代数法 4.5.2 图表法 4.6 触发器应用举例

8.1 I2C串行总线的组成及工作原理 8.2 80C51单片机I2C串行总线器件的接口

一、光交换概述 二、光交换的基本器件 三、光交换原理 四、光分组交换系统

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

第8章时序逻辑设计实践(二) 一、S型锁存器和触发器 二、M器件:计数器、移位寄存器 三、其它:文档、迭代、故障和亚稳定性

第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

存储器概述 存储器—存放大量二进制数字的器件。 按材料分类 1、磁介质类软磁盘、硬盘、磁带 2、光介质类CD、DVD、MO 3、半导体介质类 FLASH ROM、 SDRAM、 EEPROM 按功能分类 主要分RAM和ROM两类,不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM,磁盘, ROM: CD, DVD, FLASH ROM. EEPROM 性能指标

5.3 热注塑套管封合法 5.3.1 器件组成 5.3.2 “O”型热注塑套管封合操作方法

第一章数字逻辑基础 第二章逻辑门电路 第三章组合逻辑电路 第四章时序逻辑电路引论 第五章时序逻辑电路的分析与设计 第六章存储器和可编程逻辑器件 第七章脉冲信号的产生与整形

第一章 数制与码制 第二章 逻辑代数基础 第四章 组合逻辑电路 第五章 触发器(Flip — Flop) 第六章 时序逻辑电路 第七章 脉冲信号和变化 第八章 D/A和A/D变换 第九章 半导体存储器 第十章 可编程逻辑器件 第十二章 数字系统设计基础