4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

2.2.1 PN结的形成－》 2.2.2 PN结的单向导电性－》 2.2.3 PN结的反向击穿－》 2.2.4 PN结的电容效应－》 2.2 PN结的形成及特性

3.1.1 工作原理 3.1.2 变气隙式自感传感器 3.1.3 变面积式自感传感器 3.1.4 螺线管式自感传感器 3.1.5 自感式传感器测量电路 3.1.6 自感式传感器应用举例

前面介绍的各种门电路及由门电路组成的组合电路，其 共同特点是当前的输出完全取决于当前的输入，与过去的输 入无关，它们没有记忆功能。 在数字系统中：常需要有记忆功能。触发器就是一种具 有记忆功能的逻辑部件。触发器有两个稳定状态，分别表示 二进制数码的“0”和“1”

1、数字量和模拟量 在自然界存在两类物理量： 一类物理量的变化在时间上和数量上都是离散的、 不连续的。其值的大小和增减变化都是某一个最小数量 单位的整数倍，且无任何物理意义。这一类物理量叫做 数字量，把表示数字量的信号叫做数字信号，把工作在 数字信号下的电子电路数字电路

10.1 PLD概述 10.2 PLD的基本结构 10.3 PLD的表示方法 10.4 PLD的分类 10.5 可编程逻辑阵列 PLA 10.6 可编程阵列逻辑 PAL 10.7 通用阵列逻辑 GAL

2.1 概述 2.2逻辑代数中的运算 2.3逻辑代数的公式 2.4逻辑代数的基本规则

1.1 逻辑代数的基本运算 1.2 逻辑代数的定律和运算规则 1.3 逻辑函数的代数化简法 1.4 逻辑函数的卡诺图化简法

一、概念及其应用 二、主要技术指标 1.精度：用分辨率、转换误差表示 2.速度：用转换时间、转换速率表示

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用