§4.1 集成运算放大电路概述 §4.2 集成运放中的电流源电路 §4.3 集成运放电路简介 §4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 §4.5 集成运放电路的种类及选择 §4.6 集成运放的使用

第二十五讲非正弦波发生电路 一、常见的非正弦波 二、矩形波发生电路 三、三角波发生电路 四、锯齿波发生电路 五、波形变换电路

加法电路 （反相输入求和电路）在反相比例运算电路的基础上,增加一个输入支路,就构成了反相输入求和电路

4.4基本运算电路 4.4.1比例运算 4.4.2加法与减法运算 4.4.3微分与积分运算 4.4.4基本运算电路应用举例

10.1概述 10.2硅稳压管稳压电路 10.3具有放大环节的串联型稳压电路 10.4稳压电路的质量指标 10.5集成三端稳压器 10.6开关型稳压电源

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

6.1 反馈的基本概念及判断方法 6.2 负反馈放大电路的四种基本组态 6.4 深度负反馈放大电路放大倍数分析 6.6 负反馈放大电路的稳定性 6.3 负反馈对放大电路的方框图 6.5 负反馈对放大电路性能的影响

第一节直流稳压电源的组成 第二节单相整流电路 第三节滤波电路 第四节稳压电路 第五节集成稳压器

6.1 反馈的基本概念及判断方法 6.2 负反馈放大电路的四种基本组态 6.4 深度负反馈放大电路放大倍数分析 6.6 负反馈放大电路的稳定性 6.3 负反馈对放大电路的方框图 6.5 负反馈对放大电路性能的影响

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多