第六章非线性处理器 6.1概述 6.2限幅器 6.3电压比较器 6.4迟滞比较器

一、PN结及半导体二极管 1、本征半导体和杂质半导体 2、PN结及其单向导电性 3、二极管的伏安特性及主要参数 4、二极管电路分析法

第一章绪论、第二章光学投影媒体、第三章幻灯投影教学软件的设计、第四章计算机媒体、第五章电声媒体、第六章电视媒体

第四章差动放大器与集成运算放大器 4.1差动放大电路 4.2集成运放的内部结构及特点 4.3集成运放的主要性能指标

一、工艺特点： 二、发射区掺杂浓度高 三、基区很薄且掺杂浓度低 四、集电结面积大

一、放大概念示意图

一、半导体三极管 二、共射极放大电路 三、图解分析法

一、二次设备的选择 1、二次回路保护设备的选择 1)熔断器的配置 A、控制和保护回路熔断器的配置 同一安装单位的控制、保护和自动装置一般合用一组熔断器。 当一个安装单位内只有一台断路器时(如5kV或110kV出线),只装一组熔断器

序论 一、电磁场理论的主要研究领域 二、磁场理论发展简史 三、电磁场理论的主要研究对象 四、学习的目的、方法及其要求

1、理解电子束实验仪面板上各个旋钮的作用，并能够正确使用。 2、主要实验内容包括四部分：电聚焦、电偏转、磁聚焦和磁偏转