6.1 概述 6.2 时序逻辑电路的分析方法 6.4 时序逻辑电路的设计方法 6.3 若干常用的时序逻辑电路 6.5 时序逻辑电路中的竞争-冒险现象

采用透射电子显微镜结合纳米束能谱技术,研究了含Nb,Ti,Mo等多种微合金元素的超低碳贝氏体钢在奥氏体非冉结晶区终轧后弛豫阶段的应变诱导析出行为.实验结果表明:经30%预变形后,在850℃和900℃等温弛豫时,钢中析出开始主要有纯Nb及Nb-Ti复合的两类,以后者为主.随弛豫时间延长,纯Nb型析出物消失,复合夹杂中铌钛比增加.弛豫阶段后期,Mo会以置换原子形式进入(Ti,Nb)(C,N)的面心立方晶格中,其量随弛豫时间的延长而增加.析出物形状以不规则外形为主,其密度及平均尺寸与变形温度和弛豫时间密切相关

2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.2.1 半导体基本知识 2.2.2 PN结的形成及特性 2.2.3 半导体二极管 2.2.4 特殊二极管 2.2.5 半导体三极管——双极型三极管 2.2.6 MOS场效应管 本征半导体与本征激发 MOS管的基本开关电路

数字量与模拟量 数字信号与模拟信号 十进制、二进制、八进制、十六进制及不同数制之间的相互转换 原码、反码和补码的概念及补码运算 十进制代码、格雷码和ASCII码 考试要求： 1、掌握不同数制之间的相互转换； 2、了解二进制算术运算特点、方法； 3、了解8421码（BCD码）的概念和特点

报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果,并对量子点的结构特性进行了讨论.结果表明:多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势;随着InAs量子点层数的增加,量子点的密度下降,其尺寸随层数的增加趋向均匀.在试验条件下,5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理,其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成

8. 1 概述 8.2 现场可编程逻辑阵列（FPLA） 8. 3 可编程阵列逻辑（PAL） 8. 4 通用阵列逻辑（GAL） 8. 5 可擦除的可编成逻辑器件（EPLD） 8. 6 复杂的可编程逻辑器件（CPLD） 8. 7 现场可编程门阵列（FPGA） 8. 8 在系统可编程通用数字开关（ispGDS） 8.9 PLD的编程

1.1 概述 1.2 几种常见的数制 1.3 不同数制间的转换 1.5 几种常用的编码 1.4 二进制算术运算

利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和电子背散射衍射(EBSD)技术,针对SPCD冷轧板冲压制品中的桔皮缺陷的成因进行分析,探讨了晶粒取向可能对桔皮产生的影响.结果表明:铁素体晶粒过度粗大是导致冲压件表面产生桔皮缺陷的根源;{111}织构强度较弱和较大冲压量是加剧桔皮产生的两个因素.桔皮自由表面由平缓区和粗糙区组成,两个区域均显现以{112}〈110〉与{111}〈110〉为主导的取向特征,表明表面形貌与晶粒取向的对应性不显著,表面接触状况不同是造成这种形貌差异的主要原因

3.1 正弦交流电路的基本概念 3.2 正弦量的有效值 3.3 交流电路中的常用元件

本章主要研究端口电流、电压之间 的关系，即端口的外特性。本章主要解 决的问题是找出表征二端口网络的参数 及由这些参数联系着的端口电流、电压 方程，并在此基础上分析二端口网络的 电路