一、理解静电场中导体处于静电平衡时的条件,并能从静电平衡条件来分析带电导体在静电场中的电荷分布. 二、了解电介质的极化及其微观机理,了解电位移矢量D的概念,以及在各向同性介质中,D和电场强度E的关系.了解电介质中的高斯定理,并会用它来计算对称电场的电场强度

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

一、理解静电场中导体处于静电平衡时的条件,并能从静电平衡条件来分析带电导体在静电场中的电荷分布。 二、了解电介质的极化及其微观机理,了解电位移矢量D的概念,以及在各向同性介质中,D和电场强度E的关系.了解电介质中的高斯定理,并会用它来计算对称电场的电场强度。 三、理解电容的定义,并能计算几何形状简单的电容器的电容。 四、了解静电场是电场能量的携带者,了解电场能量密度的概念,能用能量密度计算电场能量

6-4电容电容器 一、孤立导体的电容 孤立导体的电容为孤立导体所带电荷Q与其电势V的比值

采用记时电流法和记时电位法对5价铌Nb(V)在FLINAK熔盐中的氧化-还原过程进行了研究。结果表明,Nb(V)(K2NbF7)在FLINAK熔盐中的电化学还原经历一个电化学-化学-电化学反应(ECE)途径。Nb(V)在FLINAK熔盐中的还原反应是单电子和4电子两步电化学反应过程

探测器件 热光电探测元件 光电探测元件 气体光电探测元件 外光电效应 内光电效应 非放大型 放 大 型 光电导探测器 光磁电效应探测器 光生伏特探测器 本征型 掺杂型 非放大 放大型 真空光电管 充气光电管 光电倍增管 变像管 摄像管 像增强器 光敏电阻 红外探测器 光电池 光电二极管 光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管

§13-1电场中的导体 §13-2静电平衡导体上的电荷分 §13-3 有导体时静电场的分析与计算 §13-4静电屏蔽 §13-5 电容器 §13-6 电介质对电场的影响 §13-7 电介质的极化 §13-7 电介质的极化 §13-8 D矢量及其高斯定理 §13-9 电容器的能量

1.当电池的电压小于它的开路电动势时,则表示电池在: C(A)放电(B)充电 (C)没有工作(D)交替地充放电 2.当发生极化现象时,两电极的电极电势将发生如下变化 (A)中(平,阳)>中(阳):中(平,阴)>中(阴) (B)中(平,阳)中(阴) (C)中(平,阳)中(阳)中(平,阴)<中(阴)

一、电介质对电容的影响 相对电容率 二、电介质的极化 无极分子电介质：（氢、甲烷、石蜡等） 有极分子电介质：（水、有机玻璃等）

1绪论 2运算放大器 3二极管及其基本电路 4双极型三极管及放大电路基础 5场效应管放大电路 6模拟集成电路 7反馈放大电路 8功率放大器 9信号处理与信号产生电路 10直流稳压电源