点击切换搜索课件文库搜索结果(8463)
文档格式:PPT 文档大小:707KB 文档页数:25
(1) 曲线上每一点切线方向为该点电场方向, (2) 通过垂直于电场方向单位面积电场线数为
文档格式:PDF 文档大小:1.2MB 文档页数:7
采用水热法和还原氮化法合成了菊花状形貌的氮化钛(TiN)纳米材料,并将其与还原氧化石墨烯(rGO)水热复合制备了氮化钛–还原氧化石墨烯(TiN-rGO)复合材料。利用扫描电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试方法对材料的形貌和物相进行了表征和分析。结果表明,TiN-rGO复合材料很好地保持了TiN菊花状的三维结构和rGO透明褶皱的形貌,且层状的rGO均匀地包覆在了菊花状的TiN的周围。用TiN-rGO复合材料修饰玻碳电极(GCE)制得了TiN-rGO/GCE电化学传感器,用于测定人体中的生物小分子DA和UA。由于复合材料中TiN和rGO的协同效应,构建的电化学传感器表现出了优秀的电化学性能。检测结果表明:TiN-rGO/GCE传感器对DA和UA的检测限分别为0.11和0.12 μmol·L?1,线性范围分别为0.5~210 μmol·L?1和5~350 μmol·L?1,且具有良好的抗干扰性、重现性和稳定性,且成功应用于人体内真实样品的DA和UA检测
文档格式:PDF 文档大小:839KB 文档页数:6
以过渡金属硫酸盐、氢氧化钠、氨水为原料,通过连续共沉淀–高温固相法制备了富锂锰基正极材料Li1.17Ni0.33Mn0.5O2。对其进行了包括微观形貌、宏观形貌、晶体结构、电化学性能等方面的表征,研究了前驱体烘干温度对于粒度较小前驱体的宏观形貌及锂化后正极材料的微观形貌和电化学性能的影响。结果表明,烘干温度较高的前驱体在烘干后出现了明显了宏观烧结现象,锂化并涂布后出现了明显的颗粒;烘干温度较低的前驱体在烘干后并未出现宏观烧结现象,锂化并涂布后未出现明显的颗粒。在电化学性能方面,前驱体烘干温度较高的正极材料在经历50个循环后,可逆比容量只剩下85%,下降比较明显;前驱体烘干温度较低的正极材料在经历了50个循环后,可逆比容量未出现明显下降
文档格式:PDF 文档大小:348.66KB 文档页数:22
目录 第4章正弦交流电路 第4.3节单一参数的交流电路 第4.3.2题 第4.4节电阻、电感与电容元件串联的交流电路 第4.4.2题 第4.4.3题 第4.4.4题 第4.4.5题 第4.4.6题 第4.4.7题 第4.4.8题
文档格式:PPT 文档大小:1.05MB 文档页数:52
§4.1 三相交流电源 4.1.1 三相电动势的产生 4.1.2 三相交流电源的连接 §4.2 三相负载及三相电路的计算 4.2.1 星形接法及计算 4.2.2 三角形接法及计算 §4.3 三相电路的功率
文档格式:PPT 文档大小:537KB 文档页数:45
光电信息技术是光子技术与微 电子技术的结合,是现代信息技术 的核心,已广泛应用于各行各业。 本书比较全面地介绍了光电信息技 术的物理基础、电光信息转换、光 电信息转换和光电信息技术的应用 ,比较注重光电信息技术应用的新 成果和新发展
文档格式:PDF 文档大小:163.49KB 文档页数:12
《电工学》答案 第1章 电路的基本概念与定律
文档格式:PDF 文档大小:1.03MB 文档页数:8
长期颈部前屈对颈椎造成严重影响。为定量评估长时间低头对颈椎疲劳造成的影响,选取20名健康受试者,保持低头角度40°~60°持续3 h。选择胸锁乳突肌,颈部夹肌和肩部斜方肌测量其表面肌电信号。经滤波、整流、振幅标准化等处理后,对每60 s的肌电值进行积分和求其平均功率频率。研究发现,积分肌电值的波动变化具有规律性,首次增大后的减小表征肌肉进入疲劳状态;不同肌肉的平均功率频率(mean power frequency,MPF)值具有明显差异,决定着该肌肉疲劳耐受性的持续时间,且在整个颈部前屈过程中MPF并非简单的线性关系。提出用MPF的导数来提取疲劳特征,用窗口化的MPF负数累积判定肌肉疲劳。结果表明,MPF负数累积能很好地判断肌肉疲劳,胸锁乳突肌在20 min内出现最终疲劳,而颈部夹肌和肩部斜方肌在20 min左右出现了短暂性疲劳,随后在75~100 min时又出现了最终疲劳。因此建议持续颈部前屈时长不超过20 min
文档格式:PPT 文档大小:58KB 文档页数:16
一、发电机故障 二、发电机不正常运行状态 三、发电机应装设的保护
文档格式:PPT 文档大小:1.77MB 文档页数:15
第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
首页上页645646647648649650651652下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 8463 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有