思想道德修养与法律基础Ａ 中国近现代史纲要 A 马克思主义基本原理 B 毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论 I 毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论 II 形势与政策 I~IV 体育 I~IV 外语 AI 外语 AII 外语 AIII 外语 AIV 高等数学 AI 高等数学 AII 线性代数 B 概率论与数理统计 B 大学物理 I 大学物理 II 物理实验 AI 物理实验 AII 创业与企业管理(三级项目) 国防教育与军事训练 思想道德修养与法律基础社会实践 马克思主义基本原理社会实践 中国近现代史纲要社会实践 毛泽东思想和中国特色社会主义理论社会实践 创业与经营实训 计算思维导论 计算思维导论课程实验 计算机技术基础 A 计算机技术基础 A 课程实验 工程化学 工程化学课程实验 C 语言程序设计（三级项目） C 语言程序设计（三级项目）课程实验 光电子器件（三级项目） 光电子器件（三级项目）实验 单片机原理（三级项目） 单片机原理（三级项目）课程实验 电路分析基础（三级项目） 电路分析基础（三级项目）课程实验 光纤传感技术（三级项目） 光纤传感技术（三级项目）课程实验 光学原理（三级项目） 光学原理（三级项目）课程实验 模拟电子技术 B 模拟电子技术 B 课程实验 嵌入式系统（三级项目） 专业综合课程设计—嵌入式系统（二级项目） 嵌入式系统（三级项目）课程实验 通信原理 B 通信原理 B 课程实验 半导体器件物理 常用光电仪器原理及使用 电磁场理论 复变函数 B 工程制图基础（三级项目） 光电成像技术 电子科学与技术工程导论 光纤通信系统 专业综合课程设计-光纤传感与通信 光学材料 红外技术 激光技术 激光原理（三级项目） 职业生涯规划与就业指导Ⅰ 职业生涯规划与就业指导 II 系列专题讲座 量子力学 数理方程 数字电子技术 A 数字信号处理 无线传感网络 信号与系统 B（三级项目） 专业英语 EDA课程设计（三级项目） 常用光电仪器原理及使用课程实验 电子工艺实习 B 电子线路 CAD（三级项目） 光学系统设计（三级项目） 金工实习 D 生产实习（二级项目） 毕业设计（一级项目）

1.1 薄膜的定义 1.2 薄膜的特性 1.3 薄膜技术与薄膜材料受到广泛关注的原因 1.4 薄膜的分类 1、电功能膜： 如绝缘膜、半导体膜、导电膜和压电膜等。 2、磁功能膜： 如磁记录膜、巨磁电阻膜、隧道磁阻薄膜、磁光等 3、光功能膜： 包括光敏膜、光记录膜、光反射膜、光分离膜。 4、分离膜： 包括气体分离膜、液体分离膜、气-液分离膜。 5、催化膜： 这类膜具有化学功能，包括催化膜、反应膜。 6、气敏膜： 这类膜对不同的气体，例如：CO2、NH3、CH4等有不同的敏感性。 1.5 薄膜材料与技术所研究的问题

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

全书共分八章：第一章是从应用的角度介绍电力半导体器件的特性；第二、三章是讲述利用相控原理的可控整流与有源逆变和交一交变频器；第四章是讲述研究DC一DC变换的斩波器的工作原理；第五章主要是研究采用PWM技术的无源逆变器；第六章是功率因数校正；第七章是软开关技术及其应用；第八章是开关电源。本书的第六~八章是电力电子学最新的内容，其中，电感电流连续的功率因数校正的原理电路分析，直流环节谐振的软开关逆变器的补偿损耗电流的计算公式，电压电流工作波形的计算；推导出的反激式、正激式、半桥式和桥式变换的开关电源的输入输出和导通时间的统一公式，这些都是由我们首先完成但还没有正式发表过论文的科研工作的成果。本书可作为授课80学时左右的本科电工类学生的专业用书，也可供相关专业的技术人员作为参考！

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

第一章现代电源技术概述 1-1电源技术的现状与发展 1-1-1功率半导体技术的现状与发展 1-1-2电源技术的新进展 1-2电源的构成及特点 1-2-1现代电源的构成原理及特点 1-2-2开关电源的分类 1-2-3开关电源常用的拓扑结构 1-2-4电源主要参数分析 第二章电源中的电力电子器件与基础电路 2-1电力电子器件 2-2基础电路 2-2-1EMI滤波电路 2-2-2整流与滤波电路 2-2-3功率变换电路 2-2-4控制与驱动电路 2-2-5保护电路

DS12887的功能特点 DS12887是美国达拉斯半导体公司最新推出的时钟芯 片，采用CMOS技术制成，把时钟芯片所需的晶振和外 部锂电池相关电路集于芯片内部，同时它与目前 IBM AT计算机常用的时钟芯片MC146818B和DS1287管脚兼 容，可直接替换。采用DS12887芯片设计的时钟电路勿 需任何外围电路并具有良好的微机接口。DS12887芯片 具有微轼耗、外围接口简单、精度高、工作稳定可靠 等优点，可广泛用于各种需要较高精度的实时时钟场 合中

第一阶段:传统的光学装置及仪器,不能胜任对 复杂光信息高速采集和处理的要求 第二阶段:半导体集成电路技术,可以将探测器 件及电路集成在一个整体中,也可以将具有多个 检测功能的探测器件集成在一个整体中。其价格 低,体积小。例如,将图形、物体等具有二维分 布的光学图像转换成电信号的检测器件是把基本 的光电探测器件组成许多网状阵列结构,引人注 目的器件CCD就是一种将阵列化的光电探测与扫 描功能一体化的固态图像检测器件。它是把一维 或二维的光学图像转换成时序电信号的器件,能 广泛引用于自动检测、自动控制,尤其是图像识 别技术

第一章 等切面曲线和相似曲线 第二章 旋转网球的轨迹 第三章 道路照明问题 第四章 平面三体问题的轨道 第五章 半导体的内部场 第六章 某些最小二乘问题 第七章 广义台球问题 第八章 镜面曲线 第九章 光滑滤子 第十章 雷达问题 第十一章 圆的保形映射 第十二章 陀螺 第十三章 标度问题 第十四章 热流问题 第十五章 模拟贯穿现象 第十六章 玻色粒子系统的热容量 第十七章 金属自由挤压加工 第十八章 Gauss积分 第十九章 Runge-Kutta显式公式的符号计算 第二十章 双相半波整流器的瞬时反应 第二十一章 输电设备中的电路 第二十二章 Newton和 Kepler定律 第二十三章 点云的最小二乘拟合 第二十四章 社会过程建模 第二十五章 解析函数的等值图 第二十六章 非线性最小二乘法:飞机的最准确的定位 第二十七章 计算平面日晷

• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器（RAM） •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器（ROM） •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU（8088系列）与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器，扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache