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《微型计算机原理及应用》课程电子教案(PPT教学课件)第4章 存储器

资源类别:文库,文档格式:PPT,文档页数:54,文件大小:338KB,团购合买
• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器(RAM) •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器(ROM) •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM(EPROM) •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU(8088系列)与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器,扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache
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第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 第4章存储器 4.1存储器的概念、分类和要素 42随机读写存储器(RAM) 4.3只读存储器(ROM) 44CPU与存储器的连接 45IBM-PC/XT中的存储器,扩展存储器 及其管理

第4章 存储器 第4章 存储器 • 4.1 存储器的概念、分类和要素 • 4.2 随机读写存储器(RAM) • 4.3 只读存储器(ROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器,扩展存储器 及其管理

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 本章学习目标 ●掌握半导体存储器的分类、组成及组成部件的作 用及工作原理、读写操作的基本过程。 ●掌握SRAM、DRAM芯片的组成特点、工作过程、 典型芯片的引脚信号、了解DRAM刷新的基本概念。 ●掌握半导体存储器的主要技术指标、芯片的扩充、 CPU与半导体存储器间的连接 ●了解 Cache的基本概念、特点、在系统中的位置

第4章 存储器 本章学习目标 l掌握半导体存储器的分类、组成及组成部件的作 用及工作原理、读/写操作的基本过程。 l掌握SRAM、DRAM芯片的组成特点、工作过程、 典型芯片的引脚信号、了解DRAM刷新的基本概念。 l掌握半导体存储器的主要技术指标、芯片的扩充、 CPU与半导体存储器间的连接。 l了解Cache的基本概念、特点、在系统中的位置

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 41存储器的概念、分类和要素 41.1简介 41.2半导体存储器的分类 4.13选择存储器件的考虑因素 00000000400000400带 :返回本章首页

第4章 存储器 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 返回本章首页

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 4.1.1简介 存储器就是用来存储程序和数据的,程序和 数据都是信息的表现形式。按照存取速度和用途 可把存储器分为两大类:内存储器(简称内存, 又称主存储器)和外存储器。存储器的容量越大, 记忆的信息也就越多,计算机的功能也就越强

第4章 存储器 4.1.1 简介 存储器就是用来存储程序和数据的,程序和 数据都是信息的表现形式。按照存取速度和用途 可把存储器分为两大类:内存储器(简称内存, 又称主存储器)和外存储器。存储器的容量越大, 记忆的信息也就越多,计算机的功能也就越强

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 地址译码器 地址 内容 0000H 0001H 地址总线 0002H XXXXH 读写控制总线 数据总线 图4-1存储器的逻辑结构示意图 返回本

第4章 存储器 0000H 0001H 0002H XXXXH 读写控制总线 数据总线 地址译码器 地址 内容 地址总线图4-1 存储器的逻辑结构示意图 返回本节

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 4.12半导体存储器的分类 1.RAM的种类:在RAM中,按工艺可分为双极 型和MOS型两大类。用MOS器件构成的RAM, 可分为静态RAM和动态RAM两种。 2.ROM的种类:1)掩膜ROM;2)可编程的只 读存储器PROM;3)可擦除的 EPROM;4)电擦 除的PROM;5)快速擦写存储器 Flash memory 又称快闪存储器

第4章 存储器 4.1.2 半导体存储器的分类 1.RAM的种类:在RAM中,按工艺可分为双极 型和MOS型两大类。用MOS器件构成的RAM, 可分为静态RAM和动态RAM两种。 2.ROM的种类:1)掩膜ROM;2)可编程的只 读存储器PROM;3)可擦除的EPROM;4)电擦 除的PROM;5)快速擦写存储器Flash Memory 又称快闪存储器

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 静态RAM(SRAM) 随机读写 存储器 图42 RAM 动态RAM(DRAM) 半导体存储器 掩膜ROM 可编程ROM(PROM) 只读 存储器 可擦除ROM( EPPROM) ROM 电擦除ROM( E PROM) 半导体存储器的分类 :返回本:

第 4 章 存储器 半导体存储器 只读 存储器 ROM 随机读写 存储器 RAM 掩膜 ROM 可编程 ROM (PROM) 可擦除 ROM (EPPROM) 电擦除 ROM (E 2 PROM) 静态 RAM (SRAM) 动态 RAM (DRAM) 图-42半导体存储器的分类 返回本节

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 4.1.3选择存储器件的考虑因素 (1)易失性 (2)只读性 (3)位容量 (4)功耗 (5)速度 (6)价格 (7)可靠性 :返回本:

第4章 存储器 4.1.3 选择存储器件的考虑因素 (1)易失性 (2)只读性 (3)位容量 (4)功耗 (5)速度 (6)价格 (7)可靠性 返回本节

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 42随机读写存储器(RAM) 421静态RAM 4.22动态RAM 2423几种新型的RAM技术及芯片类型 00000000400000400带 :返回本章首页

第4章 存储器 4.2 随机读写存储器(RAM) •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 返回本章首页

第4章存储器 00000000000000000000000000000000000000000000 4.21静态RAM 1.基本存储电路单元(六管静态存储电路) V(+5V) TI T4 图43基本存储电路单元

第4章 存储器 4.2.1 静态RAM 1.基本存储电路单元(六管静态存储电路) VCC (+5V) T1A B T2 T3 T4 • • • • 图4-3 基本存储电路单元

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