建立了30t底电极直流电弧炉熔池电磁场的数学模型,开发研制了通用计算软件,研究了不同工况下磁场强度、电流密度、洛仑兹力的分布规律

本研究应用Spalding数值计算方法,移植顶吹转炉成功的数模与计算软件,加入电磁场洛仑兹力,在理论分析的基础上研制了30t底电极直流电弧炉熔池电磁流场温度场数学模型,开发了计算软件,计算了流场、温度场

描述了钢铁工业清洁生产的一种技术筛选机制,并详细提出了其中用于经济评价的成本评价模型,还给出了成本评价模型用于电弧炉炼钢中的一个案例分析

在热力学计算的基础上,利用10kg感应炉模拟电弧炉进行了不锈钢脱磷试验,讨论了不锈钢脱磷的工艺要点,建议温度为1600℃的水平时,脱磷碳含量应大于1.55%

建立了直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ大面积金刚石沉积数学模型．对衬底上方等离子体中的化学环境进行了模拟计算，并与在相同条件下对等离子体的光谱结果进行对比，发现计算结果与实验结果基本上吻合．在模拟条件下ＣＨ基团可能是促使金刚石生长的主要活化基因．模拟结果显示ＣＨ基因沿径向的均匀分布对大面积金刚石膜生长有较大的意义．

在气体循环条件下采用H2、CH4和Ar的混合气体,利用100kW直流电弧等离子喷射CVD系统,在850和950℃下在Mo衬底上沉积了不同厚度的金刚石膜;并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱对膜的形貌、品质、取向和残余应力进行了分析.结果表明:在850℃下,随着金刚石膜厚度的增加,膜的品质不断提高,残余应力逐渐减小,且残余应力为拉应力,膜的生长稳定性很好;在反应气体流速不变的条件下,相比950℃沉积的厚度为120μm的金刚石膜,在850℃下沉积的厚度为110μm的金刚石膜有更好的生长稳定性,膜的品质更高,残余应力更小

为制备高质量的声表面波器件,探索金刚石薄膜的沉积工艺,采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积技术和特殊的复合衬底技术,在单晶硅衬底上制备了大面积、高质量的金刚石薄膜,成功解决了单晶硅衬底在沉积金刚石薄膜过程中产生的变形问题.研究了甲烷浓度和沉积温度对金刚石薄膜质量的影响,优化了沉积工艺.结果表明,甲烷气体体积分数为1.8%时,晶粒最为细小,同时金刚石薄膜的表面粗糙度最小,表面最为光滑.衬底温度为1000℃时生长的金刚石薄膜的晶粒尺寸较小

研究了利用直流电弧等离子体喷射（DC Arc Plasma Jet）的制备的大面积金刚石膜中的缺陷问题.研究表明:金刚石膜中的缺陷包括表面缺陷、晶内缺陷和晶界缺陷,以及由于内应力产生的金刚石膜宏观和微观裂纹.金刚石膜中的缺陷与制备工艺参数有着密切关系

研究了大面积金刚石膜沉积过程中的均匀性问题和金刚石膜质量的均匀性问题.研究表明:用于生长金刚石膜的大面积磁旋转等离子体电弧是均匀的,能使气体混合均匀:金刚石膜在形核阶段是均匀的;金刚石膜在生长阶段是均匀的,有利于提高成膜几率:沉积后的金刚石膜的质量是均匀的.大面积磁控长通道等离子矩能生长均匀的金刚石膜,可用于金刚石膜的研究和工业生产

采用液-固掺杂工艺将La(NO3)3与WO3混合,经干燥、La(NO3)3裂解和WO3还原等工艺制备含有La2O3的稀土W粉,采用粉末冶金-熔渗法制备含有La2O3的CuW电触头;研究了保温时间对La(NO3)3裂解的影响以及La2O3对CuW电触头性能的影响.结果表明:用液-固混料法制备的稀土W粉,La2O3分布均匀,粉末粒度较细;La(NO3)3裂解粉末的颗粒随着保温时间的延长而长大;掺杂La2O3的CuW触头耐电弧烧蚀性能有显著的提高