一、填空题: 1、陶瓷材料的晶体缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷,其中导电性与点缺陷有直接 关系。 2、陶瓷材料的塑性和韧性较低,这是陶瓷材料的最大弱点。 3、陶瓷材料热膨胀系数小,这是由晶体结构和化学键决定的

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

化学键（Chemical band）是指分子或晶体中 相邻两个或多个原子或离子之间的强烈作用 力。根据作用力性质的不同，化学键可分为 离子键、共价键和金属键等基本类型。不同 的分子或晶体具有不同的化学组成和不同的 化学键结合方式，因而具有不同的微观结构 和不同的化学性质

化学键（Chemical band）是指分子或晶体中 相邻两个或多个原子或离子之间的强烈作用 力。根据作用力性质的不同，化学键可分为 离子键、共价键和金属键等基本类型。不同 的分子或晶体具有不同的化学组成和不同的 化学键结合方式，因而具有不同的微观结构 和不同的化学性质

一、晶体中电子的速度 二、电子在外电场作用下的加速度，有效质量，等能面 三、导体、绝缘体和半导体，布洛赫 四、振荡，空穴 五、金属的电导 六、霍尔效应

第三节 晶体对X射线的衍射、第四节 晶体结构分析简介 第五节 粉晶X射线衍射法(XRD) 第六节 物相分析方法

第一节 弹性 金属的应力-应变曲线 弹性变形 弹性模量的物理意义 第二节 晶体的塑性变形 单晶体的塑性变形 多晶体的塑性变形 合金的塑性变形 塑性变形对材料组织和性能的影响 第二节 晶体的塑性变形 单晶体的塑性变形 多晶体的塑性变形 多晶体变形的特点 细晶强化及其机理 合金的塑性变形 单相固溶体合金的塑性变形 多相合金的塑形变形 冷变形金属的组织与性能 第三节 冷变形金属的回复和再结晶 冷变形金属加热时的组织和性能变化 冷变形金属的回复 冷变形金属的再结晶 再结晶后的晶粒长大 第四节 金属的热变形、动态回复与再结晶 金属的热变形 金属的蠕变 金属的超塑性 第五节 陶瓷晶体的变形 THE DEFORMATION OF CERAMIC CRYSTAL 变形特点 影响变形的主要因素 第六节 高分子材料的变形 POLYMER MATERIALS 热塑性塑料的变形 热固性塑料的变形

本章要求：在原子结构理论基础上，讨论分子的形成过程，介绍化学键、分子的空间构型和晶体的基本类型、性质和相关理论等分子结构和晶体结构的基础知识。本章学习的主要要求为：1．掌握化学键的基本概念、基本类型、形成条件和基本性质；2．掌握共价键的形成条件和本质，现代价键理论的基本要点，了解共价键的键参数及其应用。3．掌握杂化轨道理论的要点和sp型杂化所组成的分子的空间构型。4．了解分子轨道理论的基本要点，并能用其解释一些典型分子的性质特点。5．了解分子间作用力和氢键对物质某些性质的影响。6．了解金属键的形成、特性和金属键理论要点。7．在理解化学键、分子间作用力（包括氢键）的本质和特性的基础上，掌握晶体的基本类型和特点性质。了解晶体结构对物质性质的影响

1.是否有与库仑力无关的晶体结合类型? [解答] 共价结合中,电子虽然不能脱离电负性大的原子,但靠近的两个电负性大的原子可以 各出一个电子,形成电子共享的形式,即这一对电子的主要活动范围处于两个原子之间, 通过库仑力,把两个原子连接起来.离子晶体中,正离子与负离子的吸引力就是库仑力 金属结合中,原子实依靠原子实与电子云间的库仑力紧紧地吸引着.分子结合中,是电偶 极矩把原本分离的原子结合成了晶体.电偶极矩的作用力实际就是库仑力.氢键结合中, 氢先与电负性大的原子形成共价结合后,氢核与负电中心不在重合,迫使它通过库仑力再 与另一个电负性大的原子结合.可见,所有晶体结合类型都与库仑力有关