5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

自测题 一、(1)√(2)×(3)×(4)× 二、(a)加集电极电阻R及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同铭端

6.1.6 已知某时序电路的状态表如表题 6．1，6 所示，输人为 A，试画出它的状态图。如果 电路的初始状态在 b，输人信号 A 依次是 0、1、0、1、1、1、1，试求其相应的输出

• 第一节 无线通信系统的组成 • 第二节 无线通信系统中的信号与参数 • 第三节 无线通信射频接收机 • 第四节 无线通信射频发射机 • 第五节 系统噪声及效应 • 第六节 系统非线性及效应 • 第七节 接收机性能指标分析

第十章非线性电路 10.1非线性元件特性 10.2图解分析法 10.3图解分析法 10.4小信号分析法 10.5分段线性化方法

一、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。 (1)运算电路中一般均引入负反馈。() (2)在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。()

奇异信号 拉普拉斯变换的定义和收敛性 拉普拉斯变换的基本性质 拉普拉斯反变换的求解

如果在图4―12差动放大器的两个输入端加上一对 大小相等、相位相同的共模信号，即Ui1 =Ui2 =Uic,由图 可知，此时两管的射极将产生相同的变化电流ΔiE，使 得流过RE的变化电流为2ΔiE，从而引起两管射极电位 有2 RE Δ iE的变化。因此，从电压等效的观点看，相当 每管的射极各接有2 RE的电阻

7.1反馈的基本概念与分类 7.1.1在图题7.1.1所示的各电路中,哪些元件组成了级间反馈通路 它们所引人的反馈是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈(设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略)

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器