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西华大学电子信息及电气工程系:《检测与转换技术》课程教学资源(作业习题)第五章 电感传感器
文档格式:DOC 文档大小:19KB 文档页数:1
1. 试论述差动传感器的特点并比较其常用的测量电路的特点。 2. 试绘出图 5-7 所示的 ZI-A 型振动传感器的结构图,并分析其结构类型
沈阳工业大学:《电工技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 电工测量与安全用电
文档格式:PPT 文档大小:259KB 文档页数:7
一、 测量误差与仪表准确度 (一)指示仪表的误差 任何仪表在测量时都存在误差, AX —— 指示值,A0 —— 真值 1. 基本误差:仪表本身固有的,由结构及制造工艺决定的
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(PPT课件)第二章 半导体二极管及其基本电路
文档格式:PPT 文档大小:1.22MB 文档页数:38
2.1半导体的基本知识 2.2PN结的形成及特性 2.3半导体二极管 2.4二极管基本电路及其分析方法 2.5特殊二极管
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(PPT课件)第三章 半导体三极管及放大电路基础(3.7)放大电路的频率响应
文档格式:PPT 文档大小:1.37MB 文档页数:27
1.为什么要研究频率响应 2. 频率响应的分析任务 3. AV随 f 变化的原因
低温高磁感取向硅钢高温退火过程高斯晶粒的演变
文档格式:PDF 文档大小:597.52KB 文档页数:5
对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验,借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角在10o以上;900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒;950~1000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角3o~6o;在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势
西北工业大学:《数字电子技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)TTL电路的改进系列
文档格式:PPT 文档大小:532.5KB 文档页数:9
改进系列TTL集成电路主要使为了提高工 作速度,降低功耗。 采用有源泄放电路、抗饱和三极管、降低 电阻值 在TTL与非门电路中,除与非门外,还 有与门、或门、非门、或非门、与或非门、 异或门等集成电路。它们的特性与TTL与非 门基本相似,不再作分析
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(PPT课件)第七章 反馈放大电路(7.4)负反馈放大电路的分析方法
文档格式:PPS 文档大小:633.5KB 文档页数:16
一、深度负反馈的特点 二、各种反馈组态的近似计算 三、 举例
中国矿业大学信电学院:《数字电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 组合逻辑电路
文档格式:PPT 文档大小:1.93MB 文档页数:141
第一节 组合电路的分析方法 第二节 组合电路的设计方法 第三节 常用集成组合逻辑电路 第四节 组合逻辑电路的竞争与险象
中国矿业大学信电学院:《数字电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第七章 脉冲波形的产生与整形
文档格式:PPT 文档大小:2MB 文档页数:91
一、555定时器的工作原理、逻辑功能及由555构成的脉冲电路。 二、由门电路构成的脉冲电路
海南大学:《计算机电子电路技术—电路与模拟电子部分》第4章 物理量
文档格式:PPT 文档大小:1.57MB 文档页数:76
按物理量是否随时间改变,可分为恒定量,变动量。 ①大小和方向都不随时间而改变,用大写字母表示U, I . ② 随时间变化的量,每个时刻值称为瞬时值u(t), i(t)
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