Homework II (cont’d): Ch. 6 problems 6, 7, 8 (optionally 10) and Ch. 7 problems 3, 6, 7, 9, 10 (optionally 12) a useful site: www.cbi.pku.edu.cn Use blast search in database swissprot PDB is available on this site. Rasmol is available for Win98 if you don’t want to download Chemscape

Some Properties 1. ∆n is consistent. 2. Γ ⊆ ∆n ⊆ ∆n+1 ⊆ ∆Γ 3. ∆Γ is complete. 4. If ∆Γ ` A then there exists n ∈ N such that ∆n ` A. 5. A ∈ ∆Γ iff ∆Γ ` A 6. ∆Γ is consistent

一、填空题 （每题 1． 5 分，共 30 分 ） 1．（27）10＝（ ）2 ＝（ ）8421BCD 2.（11001）2 ＝（ ）10 3．逻辑函数 Y= A+B+ C D 的反函数 Y = ，对偶式 Y ′ ＝

1模入通道(A/D)转换实验2模出通道 (D/A)转换实验3过程通道综合设计实验4常 规控制算法设计实验5非最少有限拍算法设计实验 6达林算法设计实验7状态观测器跟踪系统设计 实验 1模入通道(A/D)转换实验1.1实验目的掌握模入通道的 设计方法与采样过程原理,熟悉汇编语言基本程序设计方法调试过程和 ADC0809的内部结构原理。 1.2实验器材单片机仿真器系统一套,直流稳压电源一台,万用表一块, ADC0809一块,74LS02四或非门一块,10电位计一只,包板一块,导线若 干

13-1导体静电屏蔽条件 13-2静电平衡的导体上的电荷分布 13--3有导体存在时静电场的分析 13-4静电屏蔽 13-5电容器 13-6电介质对电场的影响 13-7电介质的极化 13-8D矢量及其高斯定律 13-9电容器的能量

例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

5.在一密闭容器中,储有A、B、C三种理 想气体,处于平衡状态.A种气体的分子数 密度为n1,它产生的压强为p1,B种气体 的分子数密度为2n1,C种气体的分子数密 度为3n1,则混合气体的压强p为 (A)3p1(B)4p1 (C)5 pl D) pl

1.NH4HS(s)和任意量的NH3(g)及H2S(g)达平衡时,有: (A)C=2,=2,f=2 (B)C=1,=2,f=1 (C)C=2,=3,f=2 (D)C=3,=2,f=3

I If f(t)=100 for 04.(a) Calculate v at t=T/4.(b) Find the average power delivered by this waveform to a 5Q2 resistor 3 Let v(t)=3-3 cos(100 t-40)+4 sin(200 T t-10)+2.5 cos 300 tt V Find: (a)the average value Var;(b)the rms value V;(c)the period T; (d)v(18ms)

In this lecture, we will derive expressions for the angular momentum and kinetic energy of a 3D rigid body. We shall see that this introduces the concept of the Inertia Tensor. Angular Momentum We start form the expression of the angular momentum of a system of particles about the center of mass