问题的提出: 上面讨论的分段低次插值函数 都有一致收敛性,但光滑 性较差,对于像高速飞机的机翼 形线,船体放样等型值线 往往要求有二阶光滑度,即有二 阶连续导数,早期工程师 制图时,把富有弹性的细长木条 (所谓样条)用压铁固定 在样点上,在其它地方让它自由 弯曲,然后画下长条的曲 线,称为样条曲线。它实际上是 由分段三次曲线并接而成,在连 接点即样点上要求二阶导数连

在实验室中研究了电炉粉尘和煤粉加入量及温度对泡沫渣高度的影响.结果表明,在电炉渣中加入0~30%的电炉粉尘和3%~12%的煤粉(质量分数)时,随粉尘及煤粉加人量的增加以及温度的提高,泡沫渣的最大发泡高度增加;在加入电炉粉尘造泡沫渣过程中,随温度升高,渣中ZnO的还原挥发速度加快,反应6 min,Zn的挥发率大于97%.在本实验条件下,反应3min,渣中Pb小于0.02%,温度对PbO的还原挥发速度无明显影响

一.(本题共40分)给定有理数域上的多项式f(x)=x4+3x2+3 1.(本题5分)证明f(x)为中的不可约多项式 2.(本题5分)设a是f(x)在复数域C内的一个根.定义 Qa]= {ao +aa+a2a2}. 证明:对于任意的g(x)∈x],有g(a)∈a];又对于任意的B,ya,有 Bry Qa 3.(本题5分)接上题.证明:若B∈Qa],B≠0,则存在∈a],使得y=1. 4.(本题15分)找出f(x)的一个sturm序列.判断f(x)有几个实根. 5.(本题10分)求下面三阶方阵在有理数域Q上的最小多项式:

综合利用复变函数理论、解析延拓法和Schwarz交替法揭示相邻水平并行隧道的应力分布特征.在此基础上,结合考虑了中间主应力效应的D-P屈服准则建立相邻水平并行隧道力学模型.提出并行隧道塑性区贯穿半径的概念,建立求解方程,并通过数值模拟证明其正确性.采用隧道间塑性区临界贯穿状态下的间距作为隧道合理间距,与数值模拟软件FLAC3D计算得到的围岩位移量和沉降量随间距变化至基本不发生变化时所对应的隧道间距有较高的吻合性,从而表明其作为相邻水平并行隧道合理间距的可行性

对高于熔点、含碳0.8%的T8钢液使用电脉冲进行处理.将处理过的T8钢液正常空冷,得到了晶粒明显细化、枝晶发达程度大大减小的凝固组织.并且发现经过电脉冲处理后的T8钢的珠光体形态发生了显著的变化,片层间距缩短.根据实验结果推导了脉冲电压和凝固晶粒个数的经验公式

以水银和氩气作为模拟介质,通过物理模拟研究了高拉速板坯连铸结晶器内电磁制动和水口吹氩耦合作用下的气泡运动和分布行为.采用电阻探针测量了结晶器内气泡的运动和分布情况,分析了磁场、吹氩量等不同工艺参数对气泡占空比、气泡数量和气泡脉冲宽度的影响规律.实验结果表明:在一定的拉速条件下,施加磁场改变了气泡在结晶器内的分布规律,有利于气泡的上浮,降低了气泡在结晶器内的冲击深度,减少了到达结晶器窄面的气泡数量;磁场的施加和吹氩量的增加都使得脉冲宽度较大的气泡数量增多,且主要集中在结晶器1/4宽度和水口之间区域

用恒电位和动电位极化法研究了表面粗糙度对非晶态NiCrFeSiB合金亚稳态小孔形核和生长的影响,粗糙表面显著促进亚稳态小孔的形核,在恒电位下,亚稳小孔的生长电流随时间的平方线性增长为I-I0=k(t-t0)2.生长速度参数k和亚稳态小孔的峰值电流都服从对数正态分布。在粗糙表面上亚稳态小孔的生长速度略高,且分布范围较大

7.1 WINDOWS的内存分配 内存是操作系统的核心部分,所以我们非常有必要了 解内存的分配机制。在DOS下,访问内存的指针是 用段地址:偏移量来表示,所有程序共用一个内存空 间,由低向高分配内存空间,所以任何程序都可以随 便修改内存中的数据,包括不属于自己程序的内存 空间和中断向量表。而且所有程序被局限在1M的基 本内存(Base Memory)中,不能直接访问扩充内存

一、导体 讨论导体中静电平衡条件下的 电荷分布、电场分布和电势分布 E=0,U=常数 导体静电平衡条件:表面为等势面,外部法线 由高斯定理推论:

a)PCM信号的码元速率和带宽 (1)码元速率。设m(t)最高频率为fn,f3≥fn,如果量化电平数为M, 则采用二进制代码的码元速率为 f,=f,-log2 M=f,N (6.3-27) (2)传输PCM信号所需的最小带宽。抽样速率的最小值f=2fn,这时码 元传输速率为fb=2fnN,在无码间串扰和采用理想低通传输特性的情况下