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全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2004年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:147.5KB 文档页数:3
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填 在题干的括号内。每小题 1 分,共 10 分) 1.在读电路图时,发现有的运放处于开环状态,那么此运放所在的本级电路可能是( )。 A.基本运算电路 B.信号放大电路 C.信号产生电路 D.电压比较器
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:358KB 文档页数:4
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 1 分,共 10 分) 1.功率放大器的效率是指( )。 A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与电源供给功率之比 C.输出功率与管耗之比 D.管耗与电源功率之比
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:321.5KB 文档页数:5
一、填空题(每空 1 分,共 10 分) 1. 二极管的主要电气特性为_________。 2. 三极管若发射极正偏,集电极也正偏时,此时三极管处在_________工作状态
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:336.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
2001年10月浙江省高等教育自学考试数据库原理试题
文档格式:DOC 文档大小:33KB 文档页数:4
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题1分,共10分) 1.要保证数据库的数据独立性,需要修改的是() A.三层模式之间的两种映射 B模式与内模式 C模式与外模式 D三层模式
河北农业大学:《功能基因组学》课程教学资源(PPT课件)第一讲 基因组测序与序列组装、基因组序列诠释(任科教师:余爱丽)
文档格式:PPT 文档大小:2.98MB 文档页数:81
◼ 什么是基因组 ◼ 什么是基因 ◼ DNA测序的方法 ◼ DNA序列的组装 ◼ 人类基因组计划 ◼ 水稻基因组计划 ◼ 后基因组学 ◼ 寻找基因 ◼ 获取基因的全长cDNA序列 ◼ 确定DNA顺序中基因的位置 ◼ 研究基因的功能 ◼ 基因表达 ◼ 蛋白质组学
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:260KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
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