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晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件,它是一种可控制的硅整流元件,亦称可控硅
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1.电场 (1)相互作用的传递 对物体间的作用,自古以来存在着两种作用的争论: 超距作用:不需要任何媒介,也不需要时间的传递。 1686年,牛顿发表了万有引力定律,似乎支持超距作用的观点,但牛顿本人并不支持超距作用。在力学发展初期,由于 并没有找到近距作用的媒介,同时万有引力在解释太阳系获得巨大的成功,使得超距作用大行其道, Lagrange, Laplace, Poisson 发展起来的简洁优美的势论,更为有利地支持了超距作用
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8.1.1 湿度测量技术 8.1.2 湿度及其表示方法 8.1.3 湿度传感器及其特性参数
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1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论
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7.2.1 概念 7.2.2 影响气敏特性的因素 7.2.3 四种模式的气敏机理 1. 能级生成理论 2. 表面电荷层理论 3. 接触粒界势垒理论 4. 整体原子价控制电导理论
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1、瞬时功率、有功功率、无功功率、视在功率。 2、功率三角形 3、功率因数
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实验 1. 数字下变频器(DDC)的设计与验证 实验 2. 数字上变频器(DUC)的设计与验证 附录 A 软件无线电实验平台硬件接口配置
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六逻辑学与理性精神+ 1同一律的内容是:在同一思维过程中,一切思想都必须保持同一。 例1张先生买了块新手表。他把新手表与家中的挂钟对照,发现手表比挂钟慢了三分钟:后来他又把 家中的挂钟与电台的标准时对照,发现挂钟比电台标准时一天快了三分钟。张先生由此推断:他的表是准 确的
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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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本书是21世纪大学新型参考教材系列之一,书中主要讲解机器人控制基础,机器人釆用的各种执行器、各种传慼器,电动杋的控制,机械系统的控制,机器人运动学,机器人控制等。作者均为工作在专业教学科硏第一线的专家教授,书中内容新颖、重点突出,文字親述深入浅出、流畅易懂。书中穿插有“篇外活”可作为正文内容的补充说明。各章未均有练习题,书后附有练习题解答
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