常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管， 本章重点介绍常用半导体器件的结构，伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应

4.5.1 共集电极放大电路 4.5.2 共基极放大电路 4.5.3 放大电路三种组态的比较

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管， 本章重点介绍常用半导体器件的结构，伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

§3.1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 §3.2 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 §3.3 稳压二极管 一、伏安特性 二、主要参数 三、基本电路的组成

以易控的工艺条件为基础，通过设计简易实验装置来模拟锆合金在实际生产中的张力退火过程。采用X射线衍射（XRD）和电子背散射（EBSD）技术，对不同温度和不同张力下退火处理后的Zr–4合金织构和再结晶行为进行研究。结果表明，施加外加应力和提高退火温度可显著改变再结晶织构演化过程。随着外加应力值的增加以及退火温度的升高，锆合金的主要织构($\\overline 1 2\\overline 1 5$

§1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 §1.2 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 六、二极管的应用

放大器基础知识 共源级 —电阻做负载 共源级 —二极管接法的MOS 管做负载 共源级 —电流源做负载 共源级－深线性区MOS管做负载 共源级－带源极负反馈

第1章体器 1.1半导体的基础知识 1.2半导体二极管 1.3二极管电路的分析方法 1.4特殊二极管 1.5双极型半导体三极管 1.6场效应管 小结