第一节 晶体二极管 一、半导体的导电特性 三、晶体二极管及其特性 二、PN结及其单向导电性 四、特殊二极管 第二节 晶体三极管 一、晶体三极管的结构 二、晶体三极管的放大作用 三、晶体三极管的特性曲线 四、晶体三极管的主要参数 第三节 基本放大电路 一、放大电路的基本概念 二、基本放大电路及其工作状态分析 三、放大电路性能指标的计算 四、静态工作点稳定电路 第四节 射极输出器 一、射极输出器的工作状态 二、射极输出器的应用 第五节 场效应管及其放大电路 一、绝缘栅型场效应管 二、绝缘栅场效应管的主要参数 三、场效应管基本放大电路

第一部分：引入阻抗和导纳、相量模型，类比运用已经很熟悉的电阻电路解法。 第二部分：只求有效值和只求相位两类特殊问题，引入相量图法。相量分析法是正弦稳态分析的基础。 8-1 变换方法的概念 8-2 复数 8-3 振幅相量 8-4 相量的线性性质和基尔霍夫定律的相量形式 8-5 三种基本电路元件VCR的相量形式 8-6 VCR相量形式的统一——阻抗和导纳的引入 8-7 正弦稳态电路与电阻电路分析方法的类比——相量模型的引入 8-8 正弦稳态混联电路的分析 8-9 相量模型的网孔分析和节点分析 8-10 相量模型的等效 8-11 有效值 有效值相量 8-12 两类特殊问题 相量图法

第一篇 基础型实验 .1 实验一 电工仪表的使用与测量误差的计算.1 实验二 电路元件伏安特性的测量.4 实验三 直流电路中电位、电压的关系研究.10 实验四 基尔霍夫定律.12 实验五 叠加定理的验证.15 实验六 戴维南定理和诺顿定理的验证.18 实验七 电压源与电流源的等效变换.23 实验八 受控源特性测试.26 第二篇 综合型实验.31 实验九 RC 一阶电路的动态过程研究实验.31 实验十 二阶动态电路响应的研究.34 实验十一 RLC 元件在正弦电路中的特性实验.36 实验十二 RLC 串联谐振电路的研究.39 实验十三 双口网络测试.42 实验十四 RC 选频网络特性测试.45 实验十五 负阻抗变换器.48 实验十六 回转器.52 第三篇 设计型实验.56 实验十七 万用表设计与制作 .56 附 1 典型电信号的观察与测量.97

本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路

16.1 二端口网络 16.2 二端口的方程和参数 16.3 二端口的等效电路 16.4 二端口的转移函数 16.5 二端口的连接 16.6 回转器和负阻抗转换器

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

共漏级－源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择

2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

第一节 RC正弦波振荡器 一、自激振荡的基本原理 二、 RC串并联选频电路 三、文氏桥式RC振荡器 第二节 LC正弦波振荡器 二、电感三点式振荡器 一、变压器反馈式振荡器 三、电容三点式振荡器 第三节 石英晶体正弦波振荡器 三、串联型晶体振荡器 一、石英晶体的结构和电特性 二、并联型晶体振荡器 第四节 非正弦波振荡器 四、集成函数发生器 一、矩形波发生器 二、三角波发生器 三、锯齿波发生器