微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

车站信号是信号专业的重点课程之一。学时多,内容多, 任务重,共学习二个学期。为考试课。每学期平时测验二次 为开卷考试。期终考试为考教分离。 这门课的特点是电路多学习这门课要求对电路要熟,而 且是动态地看电路

第 I 族、第 II 族元素及过渡元素都是典型的金属晶体， 它们的最外层电子一般为 1~2 个。组成晶体时每个原子 的最外层电子为所有原子所共有，因此在结合成金属晶 体时，失去了最外层（价）电子的原子实“沉浸”在由 价电子组成的“电子云”中。如图 XCH002_004 所示。 这种情况下，电子云和原子实之间存在库仑作用，体积 越小电子云密度越高，库仑相互作用的能愈低，表现为 原子聚合起来的作用

共价结合是靠两个原子各贡献一个电子，形成所谓的共价键。 元素周期表中第 IV 族元素 C( Z = 6 )、Si、Ge、Sn (灰锡)等晶体，属金刚石结构，为共价晶体。 共价键的现代理论以氢分子的量子理论为基础。 两个氢原子 A 和 B，在自由状态下时，各有一个电子，其归一化波函数： A B ϕ and ϕ 每个氢原子中的电子满足薛定谔方程：

一、内容 1、概念 2、器件

§3.6 格林定理 泊松方程的积分公式 §3.8电介质的极化 . 极化强度 §3.10 恒定电流空间的基本方程、边界条件

第二章选择组电路 2-1进路按钮的配置和操作方法 6502电气集中采用双按钮进路式选路法。 一、进路按钮的配置 (一)配置原则

1.试计算(a)电子束在电位差为110V加速下的波长; (b)波长为150pm的德布罗意波电子的动能。 2.若将一个电子处于长1000pm的分子中看成是一维势箱

4.1 叠加定理 4.2 替代定理 4.3 戴维宁定理和诺顿定理 4.4 最大功率传输定理 4.5 特勒根定理 4.6 互易定理

本节讨论正弦稳态单口网络的瞬时 功率、平均功率(有功功率)、无功功 率、视在功率、复功率和功率因数。 正弦稳态单口网络向可变负载传输最 大功率的问题