晶核形成的原因:由分析知液态与固态的结构,配位数, 原子间距相似;进一步分析知,液态从长程而言,原子排列 是不规则的,但在近程有可能出现瞬间排列的规则性

氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

点缺陷的特点是在空间三维方向上的尺寸都很小，约为几个原子间距，又称零维缺陷 ⑴空位 ⑵间隙原子 ⑶置换 原子

一、金属的特性和金属键 1、特性 良好的导电性、导热性、塑性,具有金属光泽,不透明,正的电阻温度系数。 2、原因 这主要是与金属原子的内部结构以及原子间的结合方式有关

通过对Ti-46Al-8Nb-2Mn-0.2B合金的铸态组织和经过α+γ双相区热处理后的组织进行光学和扫描电镜进行观察,发现原始铸态组织的γ相偏析处不是片层的晶界,而是片层穿越的区域.由于γ相偏析区域的Al含量比片层基体高,因此阻碍了后续回火过程中该偏析部位片层的分解.通过先得到近γ组织,然后经过α+γ双相区保温,最终得到晶粒为40μm的双态组织;但组织中有少量的β相没有得到消除

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质

1.晶体( crystal)与非晶体( noncrystal 自然界中的物质,按其内部粒子(原子、离子、分子、原子集团)排列情况可分为两大 类:晶体与非晶体。所谓晶体就是指其内部粒子呈規则排列的物质,如水晶、食盐、金属 等。由于晶体内的粒子呈规则排列,所以晶体具有下列特点:

1.写出三种典型品体结构中各自的原了半径 2.什麽叫过冷度?它对结晶过程有何影响?能否说“过冷度越大,形核率就越高”?为什么?

用扫描电镜能谱分析半定量和定量测定,经不同热处理工艺的Ag-Cu、Ag-H62冷复合和磁控溅射复合电接点材料界面的成分分布,计算了扩散系数激活能实验表明,材料复合界面是金属键结合

金属的定义 金属是具有正的电阻温度系数的物质, 通常具有良好的导电性、导热性、延展性、高的密度和高的光泽