概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

多普勒效应及应用 多普勒C.DOppler,18031853 奥地利物理学家, 他于1842年第一次论证 了相互转动的双星系统 所发射的光的频率的微 小变化,继而又讨论了 声源与观察者之间相对 运动时,观察者所接收 的声波频率的变化

1、掌握碰撞理论和过渡态理论分别采用的模型、基本假设、计算速率常数的公式及该理论的优缺点。会利用两个理论来计算简单反应的速率常数，理解活化能、阈能和活化焓等能量之间的关系。 2、了解溶剂对反应速率影响 3、了解快速反应的几种测试手段 4、了解光对化学反应的影响 5、了解催化剂对化学反应的影响

通过运用点线面体不同元素的分合聚敌的构成进行立体和半立体的造型设计,在原有对平面形式规律认识的基础之上,增加对材料,质感,立体空间和透视角度的认识,并且通过光影表现,丰富艺术表现的语言和魅力

普朗克（1858─1947） 德国理论物理学家，量子论的 奠基人. 1900年他在德国物理学 会上，宣读了以《关于正常光谱 中能量分布定律的理论》为题的论文. 劳厄称这一 天是“量子论的 诞生日”.量子论 和相对论构成了近代物理学的研究基础

1 在双缝干涉实验中，若单色光源S到两缝S1、S2距离相等，则观察屏上中央明条纹位于图中O处，现将光源S向下移动到示意图中的S´位置，则（） （A）中央明纹向上移动，且条纹间距增大 （B）中央明纹向上移动，且条纹间距不变 （C）中央明纹向下移动，且条纹间距增大 （D）中央明纹向下移动，且条纹间距不变

在高等植物的生活周期中,花芽分化是营养生长向生殖生长转变的转折点,标志着植物幼 年期的结束和成熟期的到来。完成幼年期生长的植株的开花,还受到环境条件的影响,其中低 温和光周期是成花诱导的主要外界条件 一些二年生植物和冬性一年生植物的成花需要低温的诱导,即春化作用。植物感受春化的 部位是茎尖的生长点,多数一年生植物在种子吸涨后即可接受春化,而多数二年生或多年生植 物只有当营养体长到一定大小时才能接受春化。植物在春化过程中,体内代谢发生了深刻变 化

14-0 教学基本要求 14-1 伽利略变换式 牛顿的绝对时空观 14-2 迈克耳孙-莫雷实验 14-3 狭义相对论的基本原理洛伦兹变换式 14-4 狭义相对论的时空观 *14-5 光的多普勒效应

存储器概述 存储器—存放大量二进制数字的器件。 按材料分类 1、磁介质类软磁盘、硬盘、磁带 2、光介质类CD、DVD、MO 3、半导体介质类 FLASH ROM、 SDRAM、 EEPROM 按功能分类 主要分RAM和ROM两类,不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM,磁盘, ROM: CD, DVD, FLASH ROM. EEPROM 性能指标

5.1 二维图形 5.2 三维图形 5.3 三维图形的精细处理 5.4 隐函数绘图 5.5 低层绘图操作 5.6 光照和材质处理 5.7 图像显示与动画制作