国家开放大学：2013—2014学年第二学期“开放专科”数控技术专业电工电子技术期末试题（7月）

国家开放大学：2013—2014学年第一学期“开放专科”数控技术专业电工电子技术期末试题（1月）

国家开放大学：2012—2013学年第二学期“开放专科”数控技术专业电工电子技术期末试题（7月）

国家开放大学：2012—2013学年第一学期“开放专科”数控技术专业电工电子技术期末试题（1月）

国家开放大学：2011—2012学年第二学期“开放专科”数控技术专业电工电子技术期末试题（7月）

国家开放大学：2011—2012学年第一学期“开放专科”数控技术专业电工电子技术期末试题（1月）

国家开放大学：2006—2007学年第一学期“开放专科”数控技术专业电工电子技术期末试题（1月）

采用激光电子散斑干涉技术、电化学阻抗技术和扫描电化学显微镜技术实时、动态和原位观测了涂覆丙烯酸聚氨酯涂层的碳钢在质量分数为3.5%的NaCl溶液中浸泡初期的界面腐蚀行为,并对比了纳米TiO2的添加对界面腐蚀行为的影响.在浸泡初期无宏观缺陷存在时,激光电子散斑干涉技术成功检测到涂层界面的微小变化,电化学阻抗技术显示不同涂层低频阻抗膜值的变化情况,均与扫描电化学显微镜技术获得的腐蚀电化学形貌结果一致,即在浸泡初期,未添加纳米TiO2的涂层其界面变化速度(即锈蚀萌生速度)较添加涂层明显得多,表明纳米TiO2可延缓涂层/碳钢的界面失效

北京大学：《微机原理 Microcomputer Principle 微机与接口技术》电子课件_第二十三讲 计数、定时技术（二）8253的初始化编程、8253的编程应用

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)