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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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2.1窗口设置 2.2图纸设置 2.3网格和光标设置 2.4其它设置
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3.1 PLC的概述 3.2 PLC的基本组成 3.3 PLC控制系统与电器控制系 统的比较 3.4 PLC的工作原理 3.5 PLC的性能指标与发展趋势 3.6 国内外PLC产品比较
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一、静电场力所做的功 点电荷的电场
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1.1 Protel99e概述 1.2 Protel99S基本操作 1.3设计组管理 1.4 Protel99S的窗口管理
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⚫ 概述 ⚫ 低压电器的电磁执行机构 ⚫ 接触器 ⚫ 继电器 ⚫ 熔断器 ⚫ 低压断路器 ⚫ 低压隔离器 ⚫ 主令器
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同步辐射特征 横向振荡的稳定性 运动学方程 电子的横向运动 经典回归 二极磁铁与边缘场 横向运动的相椭圆 变换矩阵M和N 弯转磁铁 电子的横向振荡的特性 横向振荡的包络 系统的接受度
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法国物理学家,1785年通过扭秤实验创立库仑定律, 使电磁学的研究从定性进入定量阶段. 电荷的单位库仑以他的姓氏命名
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一、位移电流 1、安培环路定理遇到的矛盾在电流非稳恒状态下 , 安培环路定理是否成立 ?
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9—5静电场的能量 一、电容器的电能
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