一、电子系统 二、模拟信号与数字信号 三、电压信号和电流信号 四、输出电压和输出电流 五、等效电路 六、电路指标

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流

10.1脉冲信号与脉冲电路 10.2集成门构成的脉冲单元电路 10.3555定时器及其应用

7.1概述 7.2顺序存取存储器(SAM) 7.3随机存取存储器(RAM) 7.4只读存储器(ROM)

1.介绍构成时序逻辑电路的基本逻辑单元—触发器。以及它的各种电路结构和动作特点。 2.每一种触发器的逻辑功能

3.1晶体管的开关特性 3.2TL集成逻辑门 3.3ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4Ms逻辑门 3.5cmos电路