3.2PN结的形成及特性 3.2.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正 向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l5(e\-1),其 中n=1,Vr=26mV

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

7.1反馈的基本概念与分类 7.1.1在图题7.1.1所示的各电路中,哪些元件组成了级间反馈通路 它们所引人的反馈是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈(设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略)

7.4.1二极管构成的简单逻辑门 7.4.2.1TTL与非门的工作原理(续) (3)输入至少有一个为低时

1. 掌握脉冲波形基本参数及参数间的关系； 2．了解TTL与非门原理，主要特性参数； 3．掌握555定时器原理、功能及应用； 4．掌握单稳态触发器的功能、分析方法及典型电路（由555、运放等组成的）；

一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√ 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A

一、（1）√ （2）× （3）× （4）× 二、（a）加集电极电阻 Rc及放大电路输入端的耦合电容

11.1 （1）由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断” 和“虚短”可得下列关 系式及微分方程：

一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较