场效应管是利用电场效应来控制电流大小， 与双极型晶体管不同，它是多子导电，输 入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种:

一、BJT的结构简介： BJT常称晶体管，种类很多,但从外形看，BJT都有三个电极。 根据结构不同，BJT可分成两种类型：NPN型和PNP型。 结构上可分成： 三个区域：基区、发射区、集电 区

场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件

6.1 直流放大器 The Differential Amplifier 6.1.1 概述 6.1.2 基本差动放大器——长尾式差放 6.1.3 带恒流源的差动放大器 6.1.4 差放应用——土壤干湿指示器 6.1.5 基本要求与小结 6.2 集成运算放大器 The Operational Amplifier(Op-Amp) 6.2.1 结构与符号 6.2.2 主要参数 6.2.3 分类 6.2.4 使用 6.2.5 理想运放

附B元器件清单 序号名称 型号及规格单数量封装形式 变压器 副边双12V只 接成电压为24V 12334 整流桥 lA、100V QAO制作封装

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数

自测题 一、(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√ 二、(1)AA(2)DA(3)BA(4)DB(5)CB 三、(1)BD(2)C(3)A(4)AC(5)B(6)C

一、(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)× 二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能 (c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真

9—1 功率放大器 9—2 整流器和直流稳压电源 9—3 功率器件 9—4 高精度基准电压源