模拟电子技术基础 第三章 场效应管
1 第三章 场效应管 模拟电子技术基础
引言 场效应管是利用电场效应来控制电流大小, 与双极型晶体管不同,它是多子导电,输 入阻抗高,温度稳定性好、噪声低。 场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管MOS 结型场效应管JFET
2 场效应管是利用电场效应来控制电流大小， 与双极型晶体管不同，它是多子导电，输 入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: 引言：
§31金属氧化物-半导体场效应管 N沟道增强型 沟和电路符号 S G D 金属铝 两个N区 G P型基底‖SO2绝缘层 S 导电沟道 N沟道增强型
3 §3.1 金属-氧化物-半导体场效应管 一、 N沟道增强型 P N N S G D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 1、结构和电路符号
D G P P S P沟道增强型
4 N P P S G D G S D P 沟道增强型
2、MOS管的工作原理 U=0时 U DS S G D 对应截止区 N P DS间总有 个反接的PN 结
5 2、MOS管的工作原理 P N N S G D UGS UDS UGS=0时 D-S 间总有一 个反接的PN 结 ID=0 对应截止区
Ucs足够大时 U→>0时 (U GS/ GS(Th 感应出足够多电 DS 子,这里出现以 电子导电为主的 N型导电沟道。 N 感应出电子 P V称为阈值电压
6 P N N S G D UGS UDS UGS>0时 UGS足够大时 （UGS>VGS(Th)） 感应出足够多电 子，这里出现以 电子导电为主的 N型导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压
GS 较小时,导 电沟道相当于电 阻将DS连接起 来,Uos越大此 UgUs电阻越小。 G丫D N N P 7
7 UGS较小时，导 电沟道相当于电 阻将D-S连接起 来，UGS越大此 电阻越小。 P N N S G D UGS UDS
当UDs不太大 UsU|时,导电沟 道在两个N区 s?G?1间是均匀的。 当UD较大时, P 靠近D区的导 电沟道变窄
8 P N N S G D UGS UDS 当UDS不太大 时，导电沟 道在两个N区 间是均匀的。 当UDS较大时， 靠近D区的导 电沟道变窄
UD增加,UD=vesm 时,靠近D端的沟道被 DS 夹断,称为予夹断 G丫D 夹断后,即 N 使UDs继续 增加,Ⅰ仍 呈恒流特性。 9
9 P N N S G D UGS UDS 夹断后，即 使UDS 继续 增加，ID仍 呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=VGS(Th) 时，靠近D端的沟道被 夹断，称为予夹断
预夹断后, 夹断点向源极方 向移动,沟道的 长度略有减小, B Gs=Const 相应的沟道电阻 略有减小,结果 漏极电路稍有增 大 VGs-VGS(TH) DS
10 B VGS=const VDS iD VGS-VGS(TH) 预夹断后， 夹断点向源极方 向移动，沟道的 长度略有减小， 相应的沟道电阻 略有减小，结果 漏极电路稍有增 大