本书共15章，着重介绍了化学热力学，统计热力学，化学动力学，电化学，表面及胶体化学等最基本的内容。每一章分成若干节，每一节均包括内容纲要、例题解析及习题三部分。本书并不是一本习题解答，它更侧重于物理化学解题思路、解题方法与技巧，从而可提高运用物理化学基本原理、基本概念及基本方法去分析问题、解决问题的能力

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求．

利用熔铸-原位反应喷射成形技术制备7075+TiC (2.91%,体积分数)铝合金半固态坯料,将合金加热到固液两相区不同温度,保温不同时间,淬火固定其半固态组织.采用扫描电镜观察其组织,应用ImageTool软件及截线法统计晶粒尺寸.研究表明,原位TiC颗粒不仅细化喷射成形组织,而且在二次加热保温过程中有效地阻碍晶界的移动,抑制了显微组织的粗化过程,在600℃保温60min后合金平均晶粒尺寸仍小于30μm,表现出良好的钉扎效应

采用室温离子注入和低压电镜原位观察的方法,研究了注氢对国产ODS铁素体钢微观结构的影响.结果表明:原始未注氢ODS铁素体钢中存在有一定数量的(Fe,Cr)2O3,室温注氢后,(Fe,Cr)2O3无明显改变;但将其加热至450℃,(Fe,Cr)2O3即开始分解;到550℃时,部分(Fe,Cr)2O3消失,残余(Fe,Cr)2O3的成分也发生了改变.与此相反,原始未注氢ODS铁索体钢的微观结构在加热过程中却没有明显改变,(Fe,Cr)2O3并不分解

通过扭转法和电阻测量法对Cu-Zn合金的形状记忆效应进行了实验研究。发现在Ms点以上,不存在热弹性马氏体的情况下,由应力诱发马氏体可以引起形状记忆效应。另外,在Ms点以下有热弹性马氏体的情况下,根据实验结果可以证明,应力诱发马氏体在形状记忆效应中仍然起主要作用

河钢集团有限公司开发了利用钢液中形成TiOx?MgO?CaO细小粒子改善焊接粗晶热影响区韧性的ITFFP技术（Improve the toughness of HAZ by forming TiOx?MgO?CaO fine particles in steel），成功试制生产出大线能量焊接用30 mm厚度规格（H30）和60 mm厚度规格（H60）EH420海洋工程用钢。母材力学性能试验结果表明，H30和H60试制钢屈服强度分别达到461 MPa和534 MPa，抗拉强度分别达到570 MPa和628 MPa，延伸率分别为26%和24.5%，满足EH420海洋工程用钢国家标准要求。采用Gleeble-3800型热模拟试验机对试制钢进行了200 kJ·cm?1条件下热模拟试验，并对焊接热影响区中的显微组织和?40 ℃冲击韧性进行了分析和测试。结果表明，试制钢中形成的CaO(?MgO)?Al2O3?TiOx?MnS夹杂物可以有效地诱导针状铁素体析出，显著提高钢材的冲击韧性。另外，利用气电立焊设备对H30和H60试制钢分别进行了焊接线能量为247 kJ·cm?1和224 kJ·cm?1的实焊试验，结果显示，H30试制钢焊接接头表面和根部焊缝处?40 ℃冲击吸收功值≥74 J，焊接热影响区≥115 J，H60试制钢焊接接头表面和根部焊缝处?40 ℃冲击吸收功值≥91 J，焊接热影响区≥75 J，焊接接头的冲击性能远高于国家标准值42 J

第一节 加热、热源 第二节 远红外辐射元件及途料 第三节 烤炉的分类与生产能力计算 第四节 远红外烤炉的炉体设计 第五节 远红外炉电功率计算 第六节 辐射元件的表面温度选择及其工艺排布 第七节 反射装置 第八节 排潮系统设计 第九节 食品烘烤炉的传动装置

一、内能(状态量) 实验证明系统从状态A变化到状态B,可以采用做功和传热的方法,不管经过什么过程,只要始末状态确定,做功和传热之和保持不变

采用薄板坯连铸连轧工业生产设备及常规取向硅钢生产技术开发了低成本取向硅钢生产技术,成品性能达到国家牌号标准30Q150.通过适当的热轧板退火处理可获得粗大的热轧板晶粒组织,这有利于促进抑制剂数量的增加及Goss织构的增强,使钢板磁性能提高到30Q140标准

研究了Si/Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta结构的自旋阀的热稳定性及层间扩散问题.高分辨电镜(HREM)观察表明,各层呈柱状晶生长.低于200℃退火能有效地提高钉扎场.高于200℃退火后,钉扎场下降,300℃时降为零.利用俄欧电子能谱仪(AES)研究了在相同的条件下制备的基片/Ta/NiFe/FeMn/Ta结构多层膜.结果表明,200℃以下时薄膜层之间主要发生沿晶界的扩散,300℃时体扩散的作用不能忽略