◼ §2.1.1 半导体光源的物理基础 ◼ §2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动 ◼ §2.1.3 LED的特性 ◼ §2.1.4 LED的特点及应用

7-5 解:H(s)= ,|H(A2) A=△O2|H(1Q2)=△ y+()2v041=0999 P A2=△H(2)=△2 1+(3)2√26△1≈0981△2 0.197 V(1)= Q2Cos(Q21-4e/3

V(t=2+sin 2TFt V2()=sn207F (V) (1)H1(m)2()=(2+sn2mh)sn20n2t(v) VAM(o=v1(012(0)=2sin 207FI-2(cos 22TF1-cos18TFt)(V) Au(1)=V1(t)+2()=2+sn2m

1. 周期结构中波的传播 电子波 声波 光波 2. 一维光子晶体总有禁带 3. 电子晶体和光子晶体比较

1. 周期性破缺问题 缺陷（点缺陷、表面和界面） 2. 定性描写——周期性破缺体系电子态特征 束缚态(bound states)？ 共振态(resonances)？ 3. 定量描写——微扰（格林函数）方法 4. 模型方法

解:a=2zx105mwds→f=10H=100k a2=57×10°ndls→f2=2.5×10H=250k 幂多项式最高次数n=3 50kH=f2-2f 150k=f2-f 350=f1+f2 400k=2f2-f750k=3f2以上均符合要求

1. 固体磁性分类 2. 磁性来源——原子磁矩 3. 磁性来源——传导电子顺磁性 4. 固体中离子和电子的磁性 5. 分子场理论 6. 交换作用模型

1. 紧束缚近似的物理思想 2. Wannier函数 3. 孤立原子的波函数组成Bloch和 4. s电子紧束缚能带 5. 例：简单立方s电子的紧束缚能带 6. 紧束缚能带——LCAO方法

1. 绝热近似Æ多电子Schoedinger方程 2. Hartree-Fock方程(Hartree, 1958, Fock, 1960) 3. 密度泛函理论(1964，W. Kohn)

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础