一、列写图示各电路的网孔方程和节点方程

主要内容小结: 1、C、L元件的VCR; 2、(t)+r2(t=rt 3、三要素法 r(t)=r(∞)+r)-r(∞)e 4、阶跃信号ε(t)与阶跃响应S(t)

一、选择题(共20p每小题1p)(请直接圈出你的选择,例如:(A) 1、图示电路,求i

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5.3 Junction FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 -FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET

11-8磁场对载流导线的作用安培定律 1、电子受到的洛沦兹力:F=-eB 2、电子受到的霍耳电场力:F=-eEH

3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

2.1 集成电路运算放大器 (IC Op-Amp ) 2.2 理想运算放大器 (Ideal Op-Amp 2.3 基本线性运算放大电路 2.4 同相输入和反相输入放大电路 的其它应用 Operational Amplifier (OP-Amp) 2.0 引言(Introduction)

1.1 信号（Signals） 1.4 放大电路模型 (Circuit model of Amplifier) 1.2 信号的频谱(Frequency spectrum) 1.3 模拟信号和数字信号 (Analog and Digital Signals) 1.5 放大电路的主要性能指标

❖ 第一节 电子光学基础 ❖ 第二节 电子与固体物质的相互作用 ❖第三节 透射电镜（TEM） ❖第四节 扫描电镜 ❖第五节 电子探针(Electron Micro￾probe Analysis, EMPA or EPMA) 第六节 扫描隧道显微镜 (STM) 第七节 原子力显微镜 (AFM) 第八节 电子显微镜分析在材料研究中的应用 ❖ 一、形态、精度的分析 ❖ 二、元素的存在状态分析 ❖ 三、玻璃的非晶态结构分析 ❖ 四、材料断面的研究 ❖ 五、晶界（微观研究） ❖ 六、微区结构分析 ❖ 七、高分子材料的研究