3.3.1 电容式传感器的工作原理 3.3.2 电容式传感器主要性能 3.3.3 电容式传感器的特点和设计要点 3.3.4 电容式传感器等效电路 3.3.5 电容式传感器测量电路 3.3.6 电容式传感器的应用 3.3.7 容栅式传感器

一、传统的硬件设计方法 二、传统的设计方法是自下而上的设计方法 三、采用通用的元器件 四、后期进行仿真，浪费大，设计周期长 五、主要设计文件是电路原理图，可读性差，文件量大

4.1叠加定理(Superposition Theorem) 4.2替代定理(Substitution Theorem) 4.3戴维南定理和诺顿定理 (Thevenin-Norton Theorem) 4.4特勒根定理(Tellegen's' Theorem) 4.5互易定理(Reciprocity Theorem) 4.6对偶原理(Dual Principle)

2.1放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2晶体三极管的其它工作模式 2.3埃伯尔斯—莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 2.7晶体三极管的应用原理

7.1 接口电路概述 7.2 可编程定时/计数器8253 §7.3 并行接口8255 §7.4可编程串行通信接口 7.4.1串行通信基本概念 7.4.2 串行通信的接口标准 7.4.3 可编程串行通信接口8250

80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。 外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多, 近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/0口和 其他一些功能器件,扩展器件大多是一些常规芯 片,有典型的扩展应用电路,可根据规范化电路 来构成能满足要求的应用系统

第四章门电路 一、了解TTL与非门、集电极开路门和三态门的工作原理,熟悉它们的外特性及其应用。 二、熟悉TTL门电路及CMOS门电路的主要参数(工作速度、功耗、抗干扰能力、带负载能力),参数的物理意义和数值的量级

第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线

本章重点 4.1叠加定理 4.2替代定理 4.3戴维宁定理和诺顿定理 4.4最大功率传输定理 4.5*特勒根定理 4.6*互易定理 4.7*对偶原理

本讲重点: 键盘接口(键盘种类,矩阵键盘的行扫描与 线反转法的电路、原理与编程); D/A转换接口(DAC0832产生各种波形); A/D转换接口(ADC0809三种读取方式,电路 及单路采集与多路采集编程应用)