13-1导体静电屏蔽条件 13-2静电平衡的导体上的电荷分布 13--3有导体存在时静电场的分析 13-4静电屏蔽 13-5电容器 13-6电介质对电场的影响 13-7电介质的极化 13-8D矢量及其高斯定律 13-9电容器的能量

一、单项选择(每题2分,共20分) ()1、边际消费倾向与边际储蓄倾向的关系是: A、之和等于1; B、之和大于1; C、之和小于1; D、无关

例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

有两种坐标系,一种是世界坐标系(Wc: world coordinate system),这种较常用;另一种是用户坐 标系(UCS),这种常用于较复杂的图形。 坐标:动态与静态,默认为动态直角坐标。F6或 Ctrl+D可切换。状态栏右击:利用快捷菜单可选择显 示方式

1、本试卷的试题中共有75个空格,需要全部解答,每个空格1分,满分75分。 2、每个空格对应一个序号,有A、B、C、D四个选项,请选择一个最恰当的选项作为解答

5.在一密闭容器中,储有A、B、C三种理 想气体,处于平衡状态.A种气体的分子数 密度为n1,它产生的压强为p1,B种气体 的分子数密度为2n1,C种气体的分子数密 度为3n1,则混合气体的压强p为 (A)3p1(B)4p1 (C)5 pl D) pl

12-1计算例12-1的蜗杆和蜗轮的几何尺寸。 12-2如图所示,蜗杆主动,T1=20Nm,m=4mm,z1=2,d1=50mm,蜗轮齿数z2=50,传动的啮合效率n=0.75。试确定:()蜗轮的转向(2)蜗杆与蜗轮上作用力的大小和方向

I If f(t)=100 for 04.(a) Calculate v at t=T/4.(b) Find the average power delivered by this waveform to a 5Q2 resistor 3 Let v(t)=3-3 cos(100 t-40)+4 sin(200 T t-10)+2.5 cos 300 tt V Find: (a)the average value Var;(b)the rms value V;(c)the period T; (d)v(18ms)

1.气相反应A+2B>2C,A和B的初始压力分别为p(A)和p(B)应开始时并无C若p为体系的总压力,当时间 为t时,A的分压为: () p(A)-p(B) ()p-2p(A) (C)p-p(B) (D) 2(p-p(A)-p(B)

Inertial reference frames In the previous lecture, we derived an expression that related the accelerations observed using two reference frames, A and B, which are in relative motion with respect to each other. aA =aB+(aA/ B)'y'' 22 x (DA/ B) 'y'2'+ TA/B+ X TA/B). (1) Here, aA is the acceleration of particle A observed by one observer, and