1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量:存储器含有存储单元的数量

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

1.脉冲整形电路有 A.多谐振荡器B.单稳态触发器C.施密特触发器D.555定时器 2.多谐振荡器可产生 A.正弦波B.矩形脉冲C.三角波 D.锯齿波

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1.PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路，将 IEQ 增大，rbe将___________。 3.集成功放 LM386，共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态

一、（1）√ （2）× （3）× （4）× 二、（a）加集电极电阻 Rc及放大电路输入端的耦合电容

• 3.1 晶体管的开关特性 • 3.2 基本逻辑门电路 • 3.3 TTL逻辑门 • 3.4 其他双极型电路 • 3.5 MOS 逻辑门 • 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介

10.1.1变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题10.1.1所示,副边电源电压为v2= sin (ot,假定忽略管子的正向压降和变压 器内阻

一、填空(本题25分) 1.对共射、共集和共基三种组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望高頻性 能好,应选用 组态

一、是非题(对打“√”,错打“×”。每题2分,共10分) ()1.逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。 ()2.多位数加法器可利用半加器通过位数扩展得到。 ()3.下图电路中,图(a)和图(b)的逻辑功能相同

一、填空(本题25分) 1.对共射、共集和共基三种组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选 用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望高頻 性能好,应选用 组态。 2.晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区,即: 要使三极管工作在放大区必须给发射 结加 、集电结加