当软弱土地基的承载力和变形满足不了建筑物的要求，而软弱土层的厚度又不很大时 将基础底面以下处理范围内的软弱土层的部分或全部挖去，然后分层换填强度较大的砂（碎 石、素土、灰土、高炉干渣、粉煤灰）或其它性能稳定、无侵蚀性等材料，并压（夯、振） 实至要求的密实度为止，这种地基处理的方法称为换填法.它还包括低洼地域筑高（平整场 地）或堆填筑高（道路路基）

一. 制备方法 1.由低分子化合物(单体)合成缩聚、加聚和开环反应。 2.由一种聚合物制备另一种聚合物取代、交换和结构化反应

微生物分布广泛、种类繁多 以土壤的微生物含量最高，肥沃土壤可 达1012-13/克土壤， 其次是水体，在富营养化程度高的水体 达108-9 /ml， 空气中的微生物含量相对较低，主要来 源于土壤和水体。 据最新的预测微生物的种类可达107~108 种，远远超过动植物的总和

1. 高速工作时，调速范围不大； 2. 低速工作时，转子电路电流大，容易烧坏电动机

一、高聚物的基本概念和特征 高聚物是指由一种或几种低分子化合物（单体）聚合而成的高分子有机物质。通常包括塑料、橡胶和纤维三类

第 I 族、第 II 族元素及过渡元素都是典型的金属晶体， 它们的最外层电子一般为 1~2 个。组成晶体时每个原子 的最外层电子为所有原子所共有，因此在结合成金属晶 体时，失去了最外层（价）电子的原子实“沉浸”在由 价电子组成的“电子云”中。如图 XCH002_004 所示。 这种情况下，电子云和原子实之间存在库仑作用，体积 越小电子云密度越高，库仑相互作用的能愈低，表现为 原子聚合起来的作用

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

架空电缆是将电缆架挂在距地面有一定高度 电杆上的一种电缆建筑方式，与地下电缆相比， 虽然较易受外界影响，不够安全，也不美观，但 架设简便，建设费用低，所以在离局较远，用户 数较少而变动较大，敷设地下电缆有困难的地方 仍被广泛应用

一,填空题(20分) 1.土石坝按坝体材料的组合和防渗体的相对位分C高于设计洪水位加一定超高,且不低于校核洪水位为和多种土质坝

一、基础工程施工 基础工程的组成： １．土石方工程 ２．深基础工程 一般土木工程中的建筑物、道路等多采用天然浅基础，它造价低，施工简便。如果天然浅土层软弱，可采用机械压实、强夯、 深层搅拌、堆载预压、砂桩挤密、化学加固等方法进行人工加固， 形成人工地基浅基础。对于高大建筑物、桥墩、码头等上部荷载 很大的情况，无法采用浅基础时，则需要经过技术经济比较后采 用深基础