一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

1、单相半波可控整流电路对电感负载供电,L=20mH,U2=100,求当a=0°和60°时的负载电流I,并画出ud与波形。 2、图1为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:

2.1半导体的基本知识 2.2PN结的形成及特性 2.3半导体二极管 2.4二极管基本电路及其分析方法 2.5特殊二极管

第一节 压电传感器的工作原理 第二节 压电传感器的测量转换电路

第一节 电容式传感器的工作原理及结构形式 第二节 电容式传感器的测量转换电路 第三节 电容式传感器的应用

实验一 三人多数表决电路 实验二 用 74LS161 设计同步 12 进制计数器 实验三 用 VHDL 文本设计输入方法 实现组合逻辑电路 实验四 用 VHDL 文本设计输入方法 实现触发器 实验五 利用例化语句进行层次化设计 实验六 并行置位的移位寄存器 实验七 数字频率计设计 实验八 有限状态机设计——用状态机实现序列检测器的设计

一、同相比例放大器 二、反相比例放大器 三、电流电压变换放大器 四、差动放大器 五、自举型高输入阻抗放大器 六、斩波稳零放大器 七、仪用放大器 八、隔离放大电路

实验五AD采样电路设计 一、实验目的:通过本次实验掌握用VHDL语言设计程序能够通过时序对ADC0809器件进行控制并进行采集、输出。 二、实验要求: 1、了解并掌握ADC0809的工作原理。 2、编写相应的程序实现对ADC0809的控制