利用低温液氮球磨和放电等离子烧结工艺制备了块体纳米晶Al-Zn-Mg-Cu合金.采用X射线衍射(XRD)技术分析了材料的晶粒尺寸和微观应变,利用透射电镜(TEM)研究了合金微观组织的演变.结果表明:采用放电等离子烧结法制备的7000系纳米铝合金具有两种不同的纳米晶结构,以晶粒尺寸50~100nm的等轴晶为主,少量200~400nm的大晶粒为辅;烧结过程中发生再结晶及第二相析出,析出的第二相以η(MgZn2)为主,θ(Al2Cu)以及S(Al2CuMg)为辅

采用微弧氧化(MAO)技术在7050铝合金表面制备了陶瓷膜层,运用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)表征陶瓷膜微观结构,采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)和慢应变速率拉伸试验(SSRT)研究了微弧氧化膜对7050铝合金在3.5%(质量分数) NaCl水溶液中腐蚀和应力腐蚀开裂(SCC)行为的影响.结果表明:微弧氧化膜层由表面疏松层与内部致密层组成,表面疏松层主要由Al2O3组成,内部致密层由氧化铝与铝烧结而成.微弧氧化膜层可以有效抑制7050铝合金表面的腐蚀萌生及明显降低腐蚀速率,且使7050铝合金的应力腐蚀敏感性出现显著下降

采用累积复合轧制(ARB)技术的两种工艺路径,研究变形后1060工业纯铝的显微组织和力学性能变化.结果显示:路径A的晶粒细化效果比路径B明显;ARB7道次后,采用路径A的试样的显微组织由拉长的细小纤维状晶粒组成,路径B的试样由扁平状晶粒组成;路径A和路径B的试样的平均晶粒尺寸分别为470nm和680nm;路径A的试样的抗拉强度提高程度大于路径B.1060工业纯铝在ARB过程中的强化机制主要是细晶强化.初步分析了ARB过程中材料的变形规律和细小晶粒的形成机制

风力发电塔作为一类特殊的高柔结构,顶部支撑的风机在工作状态下对塔身产生动态激励,目前的风电塔振动实测通常采用接触式传感器.为发展风电塔现场非接触测试技术,本文对激光遥测方法进行阐述,利用加速度计和激光遥测设备对某1.5 MW风电塔进行环境脉动激励下的动力实测,对两种仪器的现场使用及测试结果进行对比,分析遥测方法的优势.利用得到的多组实测信号,分别采用峰值拾取法和随机子空间识别法进行分析处理,获得该风电塔的自振频率

针对标准遗传算法在求解车间作业调度问题中易陷入局部极值点的缺点,提出了一种基于领域知识的动态双种群遗传算法.由于最优调度必定是活动调度,算法利用活动调度技术来进行空间缩减;两个子种群分别采用正、逆序调度策略来提高种群的多样性.算法采用一种新的染色体编码来表示活动调度方案,并给出了相应子种群的初始化策略、遗传操作,以及子种群之间的交叉方式.Benchmark算例的仿真实验与分析表明,该算法在计算时间和求解质量上均具有较好的效果

介绍了峨口铁矿的地应力测量同时采用的水压致裂法和应力解除法的基本原理和在现场测量中所采用的新技术.根据实测地应力数据,使用静态系统灰色曲线模型获得峨口矿区的地应力分布规律.结果表明由两种方法所获得的测量结果具有良好的一致性

平煤十矿采用三维套孔应力解除地应力测量技术和具有温度补偿功能的空心包体应变计,完成了矿区6个水平、11个测点的现场地应力实测,最大测点深度达到1123 m.这是我国煤矿首次采用应力解除法进行系统的矿区地应力测量并且测量深度超1100 m.通过测量获得了矿区11个测点的三维地应力状态,揭示了矿区地应力场的分布规律,建立了矿区地应力场模型.针对平煤十矿是我国典型的高瓦斯矿井、深部采矿存在引发煤(岩)爆和瓦斯爆炸的高危险性,本文提出:根据实测地应力数据,采用数值模拟技术,定量计算开挖扰动引起的开采煤层和围岩中能量聚集状况及其随采矿过程的变化规律,借助地震学的知识,根据能量聚集状态对未来开采可能引发煤(岩)爆的时间、地点和震级进行预测

针对分段空场嗣后充填采矿法实际工程中存在的诸多模糊信息,综合考虑了矿山安全、经济和技术等因素,并利用层次分析法(AHP)建立了方案优化综合评判体系.运用模糊数学方法对各个方案参数进行优选,对定性和定量指标权重进行评价,最终由模糊矩阵选出最优方案参数,从而实现安全、高效地开采

采用正电子多普勒展宽和X衍射分析方法研究了冷轧镍中氢化物的分解过程。实验结果指出:冷轧镍中充氢(0.5 mol/l H2 SO4+250mg/l AS2O3)会产fccβ相(氢化物),β相是不稳的,室温时效将发生分解。氢化物本身对正电子不敏感,但选择适当的条件,仍可用正电子湮没技术(PAT)研究它的分解过程,所得结果与X衍射分析吻合。采用氢与空位互作用形成以氢为核心的空位团机制可较好地解释实验中观察到的现象

80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。 外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多, 近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/0口和 其他一些功能器件,扩展器件大多是一些常规芯 片,有典型的扩展应用电路,可根据规范化电路 来构成能满足要求的应用系统