7.1概述 7.1.1影响模拟输出结果的因素 7.1.2模拟模型的输出数据 7.1.3终止型模拟与稳态型模拟 7.2输出结果的置信区间 7.3终止型模拟结果的分析 7.3.1计算逼近法 7.3.2序贯(模拟逼近)法

一、笔试模拟试题 二、上机考试模拟试题

建立COREX竖炉三维半周物理模型,模拟竖炉围管粉尘初始堵塞位置及其演变过程,考察鼓风量、排料速度、非工况排料等操作条件对围管粉尘堵塞的影响.模拟结果显示,COREX竖炉围管初始堵塞位置为AGD架梁圆管前方的8#~12#导气槽区域.当导气槽前端填充床内形成粉尘沉积区后,若沉积区向上发展速度大于其随物料向下运动速度,粉尘沉积区向围管方向发展,并逐步堵塞围管导气槽,进而在围管内形成粉尘堆积区.该堆积区在围管内继续发展,使得其堆脚向围管远端运动,从而逐步将远端导气槽堵塞.此外,模拟发现随着排料速度加快及鼓风量增加,围管内不易发生粉尘堵塞.当炉内非工况条件发生时,粉尘堆积的动态平衡被打破,易造成围管内粉尘的堆积堵塞

通过DICTRA-THERMO-CALC动力学和热力学联合计算软件对DD402单晶和Rene95粉末高温合金进行热等静压扩散连接反应层元素互扩散规律的模拟计算.计算结果表明,此种模拟计算方法可以较好地反应扩散偶中元素的互扩散规律,与实验结果基本吻合.在此基础上,分析计算了温度和时间对扩散连接过程中Al元素互扩散规律的影响.最终得出此种模拟计算方法可以为热等静压扩散连接工艺的制定和优化提供较好的理论依据

结合某钢厂RH精炼装置,运用数值模拟的方法对脱气时的流场进行了计算,得出了该型号RH装置在该厂操作条件下的流场,并成功解释了操作中遇到的一些现象.利用实践生产中的经验公式与数据对模拟结果进行了验证,结果表明模拟结果可靠.最后利用该模型计算了RH内钢液的湍动能耗散情况以及钢液循环流量与吹Ar量的关系,并给出了最佳吹Ar量的控制范围

阐述了在物流系统分析中,应用计算机模拟的必要性和可能性。重点讨论了物流系统计算机模拟的原理和特点,介绍了物流系统通用模拟程序（GSPLS）,给出了应用GSPLS解决问题的两个实例

采用直接差分方法对球墨铸铁轧辊凝固过程中不同时刻的温度场进行计算机模拟。在此基础上对不同时刻的体积变化也进行了模拟。利用计算机模拟可以定量地、准确地揭示出球铁轧辊凝固过程中体积变化的动态过程,为球铁轧辊无冒口铸造工艺提供了科学根据。试验表明,在计算机帮助下,采用无冒口铸造能可靠地生产出无缩孔、无缩松的致密球墨铸铁轧辊

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出

6.4.1 MOSFET开关特性与开关等效电路 6.4.2 CMOS开关电路 6.4.3 CMOS四通道模拟开关

§7.4 模拟测图前的准备工作 §7.5 模拟法大比例尺地形图的测绘