第三章静电场的边值问题 主要内容 电位微分方程,镜像法,分离变量法。 1.电位微分方程 已知,电位q与电场强度E的关系为

在奥赛考纲中,静电学知识点数目不算多,总数和高考考纲基本相同,但在个别知识点上 奧赛的要求显然更加深化了:如非匀强电场中电势的计算、电容器的连接和静电能计算、电介质 的极化等。在处理物理问题的方法上,对无限分割和叠加原理提出了更高的要求 如果把静电场的问题分为两部分,那就是电场本身的问题、和对场中带电体的研究,高考考 纲比较注重第二部分中带电粒子的运动问题,而奥赛考纲更注重第一部分和第二部分中的静态问 题。也就是说,奥赛关注的是电场中更本质的内容,关注的是纵向的深化和而非横向的综合

13.1一带电量为q,半径为的金属球A,与一原先不带电、内外半径分别为r 和rC的金属球壳B同心放置,如图所示,则图中点的电场强度如何?若用导线将A和B 连接起来,则A球的电势为多少?(设无穷远处电势为零) 解答]过P点作一个同心球面作为高斯面,尽管金属球壳内侧会 感应出异种,但是高斯面内只有电荷q.根据高斯定理可得

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1.PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路，将 IEQ 增大，rbe将___________。 3.集成功放 LM386，共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态

一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

一、等势面(电势图示法) 空间电势相等的点连接起来所形成的面称为等势 面.为了描述空间电势的分布,规定任意两相邻等势 面间的电势差相等

在实际应用中，常常需要考察某种物理量（如温度，密度，电场 强度，力，速度等）在空间的分布和变化规律，从数学和物理上看这 就是 场的概念

在实际应用中,常常需要考察某种物理量(如温度,密度,电场 强度,力,速度等)在空间的分布和变化规律,从数学和物理上看这 就是场的概念。 设cR3是一个区域,若在时刻t,2中每一点(x,y,z)都有一个确 定的数值f(x,y,z,t)(或确定的向量值f(x,y,z)与它对应,就称函数 f(x,y,z,t)为2上的数量场(或向量场)

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

一、孤立导体的电容 1.电容的定义 电荷在导体表面的分布必须保证满足导体的静电平衡条件。对于孤立导体,电荷在导体表面的相对分布情况由导体的几何 形状唯一确定,因而带一定电量的导体外部空间的电场分布以及导体的电势亦完全确定.根据叠加原理,当孤立导体的电量增 加若干倍时,导体的电势也将增加若干倍,即孤立导体的电势与其电量成正比 =Cv 比例系数C称为孤立导体的电容