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清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第七章 脉冲波形的产生与处理电路(7-8-3)由555定时器组成的施密特触发器
文档格式:PDF 文档大小:579.18KB 文档页数:11
1. 掌握脉冲波形基本参数及参数间的关系; 2.了解TTL与非门原理,主要特性参数; 3.掌握555定时器原理、功能及应用; 4.掌握单稳态触发器的功能、分析方法及典型电路(由555、运放等组成的);
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第八章 模数转换器和数模转换器(8-2)权电流型D/A
文档格式:PDF 文档大小:172.78KB 文档页数:12
1. 分析: 2. 特点: (1)共性:开关支路电流与权成正比,电流相加 (2)不同:产生支路电流的方法不同;
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第七章 脉冲波形的产生与处理电路(7-4)门电路
文档格式:PDF 文档大小:120.8KB 文档页数:7
7.4.1二极管构成的简单逻辑门 7.4.2.1TTL与非门的工作原理(续) (3)输入至少有一个为低时
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.3 结型场效应管
文档格式:PPT 文档大小:1.39MB 文档页数:12
5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.2 MOSFET放大电路
文档格式:PPT 文档大小:1.37MB 文档页数:13
5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
文档格式:PPT 文档大小:2.53MB 文档页数:21
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第三章 MOS模拟集成电路的基本单元电路(3.2-3.4)直流传输特性曲线
文档格式:PDF 文档大小:134.18KB 文档页数:10
2. 直流传输特性曲线 c区:νI 0(小),A′→B点
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)第三章 MOS模拟集成电路的基本单元电路(3.6.2)CMOS传输门
文档格式:PDF 文档大小:201.35KB 文档页数:9
1.掌握MOS管等效电路;会用等效电路分析放 大电路。 2.掌握E/D、E/E、CMOS单级放大电路的电路 形式、特点、特性
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)习题课
文档格式:PDF 文档大小:716.18KB 文档页数:9
题4.2.1 设计一个电压串联负反馈放大电路,要 求Avf=100,无反馈时的电压增益Av变化20%时, Avf变化不大于1%。试计算所需的Av及Fv的值
华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)直流稳压电源 10.2 串联反馈式稳压电路
文档格式:PPT 文档大小:1.43MB 文档页数:14
10.2.1 稳压电源质量指标 10.2.2 串联反馈式稳压电路工作原理 10.2.3 三端集成稳压器 10.2.4 三端集成稳压器的应用
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